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本发明属于半导体领域，具体地涉及一种背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用。本发明晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。本发明可增加传统晶圆背面沉积薄膜的可选择性。SiN、SiO及非晶相碳膜相比，相同膜厚条件下，非晶相碳膜应力和翘曲与SiN相近...
该专利属于拓荆科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技（上海）有限公司授权不得商用。

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