【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于半导体工艺的反应源容器。
技术介绍
1、半导体工艺过程，例如薄膜沉积工艺，一般多采用机台钢瓶作为承载液态源的蒸发输送容器，容器内部液态源温度的稳定性对其工艺的成膜效果至关重要。
2、现有技术中钢瓶的设计较为简单，一般直接填充液态源进到容器内部，经过一段时间的工艺反应后再进入下一次的填充。然而，液态源填充后，会导致容器内液态源的温度下降。例如，液态源填充使得4％-5％的实际容量液体填充到钢瓶内部，导致钢瓶内原有液态源温度降低，而液态源是通过其液面上的蒸发与载气混合后再输出的，温度变化会影响到原有蒸发过程的正常进行。因而，在液态源进行补充填充后，钢瓶内下降的温度需要在很长一段时间才能稳定到需要温度，导致成膜的性能不稳定，影响工艺效果。
技术实现思路
1、为了克服上述缺陷，本技术提供了一种反应源容器，包括主箱室，该主箱室的下部用于盛放液态反应源，该主箱室内位于该液态反应源液面上方的空间用于填充气态反应源，在该气态反应源的填充空间顶部增设副箱室，用于盛放该液态反应源的补充液，该副箱室通过管路与该主箱室内的该液态反应源相连通。
2、在一实施例中，优选地，该管路竖直贯穿于该主箱室与该副箱室的内部。
3、在一实施例中，优选地，该管路位于该副箱室内的一端高出该副箱室的底面一预设高度。
4、在一实施例中，优选地，该副箱室的侧周由该主箱室的侧周向上延伸而得。
5、在一实施例中，优选地，该副箱室的容量为该主箱室内该液态反应源单
6、在一实施例中，优选地，该副箱室的顶部设有该液态反应源的补充液输入管路。
7、在一实施例中，优选地，该补充液输入管路上设有加热装置，用于加热输入该副箱室的补充液。
8、在一实施例中，优选地，该反应源容器还包括与该气态反应源的填充空间相连通的气态源输入管路与混合输出管路，该液态反应源蒸发后与该气态反应源混合，再通过该混合输出管路输出。
9、在一实施例中，优选地，该气态源输入管路和该混合输出管路沿竖直方向贯穿该副箱室以与该气态反应源的填充空间相连通。
10、在一实施例中，优选地，该气态源输入管路和该混合输出管路位于该反应源容器两侧相对的位置。
11、本技术提供了的反应源容器，通过顶部增设用于盛放液态反应源补充液的副箱室，使得补充液在副箱室内完成温度稳定工作，为液态反应源的补充过程提供了温度变化的缓冲，从而达到混合蒸汽稳定的发生及输出，提升工艺的成膜质量。
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1.一种反应源容器，包括主箱室，所述主箱室的下部用于盛放液态反应源，所述主箱室内位于所述液态反应源液面上方的空间用于填充气态反应源，其特征在于，
2.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述补充管路竖直贯穿于所述主箱室与所述副箱室的内部。
3.如权利要求2所述的反应源容器，其特征在于，所述补充管路位于所述副箱室内的一端高出所述副箱室的底面一预设高度。
4.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述副箱室的侧周由所述主箱室的侧周向上延伸而得。
5.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述副箱室的容量为所述主箱室内所述液态反应源单次补充容量的2～3倍。
6.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述副箱室的顶部设有所述液态反应源的补充液输入管路。
7.如权利要求6所述的反应源容器，其特征在于，所述补充液输入管路上设有加热装置，用于加热输入所述副箱室的补充液。
8.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，还包括与所述气态反应源的填充空间相连通的气态源输入管路与混合输出管路，所述液态
9.如权利要求8所述的反应源容器，其特征在于，所述气态源输入管路和所述混合输出管路沿竖直方向贯穿所述副箱室以与所述气态反应源的填充空间相连通。
10.如权利要求9所述的反应源容器，其特征在于，所述气态源输入管路和所述混合输出管路位于所述反应源容器两侧相对的位置。
...【技术特征摘要】
1.一种反应源容器，包括主箱室，所述主箱室的下部用于盛放液态反应源，所述主箱室内位于所述液态反应源液面上方的空间用于填充气态反应源，其特征在于，
2.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述补充管路竖直贯穿于所述主箱室与所述副箱室的内部。
3.如权利要求2所述的反应源容器，其特征在于，所述补充管路位于所述副箱室内的一端高出所述副箱室的底面一预设高度。
4.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述副箱室的侧周由所述主箱室的侧周向上延伸而得。
5.如权利要求1所述的反应源容器，其特征在于，所述副箱室的容量为所述主箱室内所述液态反应源单次补充容量的2～3倍。
6.如权利要求1所述的反应源容器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：关帅，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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