【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种改进的喷嘴结构,尤其涉及一种可大幅减少微粒堆积以及分 散气流的改进的喷嘴结构。
技术介绍
在半导体制程中,因制程需要而会将晶圆片容置在晶圆盒内,之后利用喷嘴装 置填充例如氮气的气体至晶圆盒内,以避免晶圆盒内所容置的晶圆片受到氧化及微粒 (particle)污染。举例而言,在45纳米制程下,晶粒(die)与晶粒之间的间隔更小,故对在 大幅减少微粒堆积污染的要求也越来越严格。请参照图1,其为公知喷嘴结构的喷嘴本体的立体图,在图式中显示有公知喷嘴结 构的喷嘴本体9,其断面是呈锥状,且贯设有气孔91。请参照图2,其为组装图1所示喷嘴本体的喷嘴装置的剖面图。在图式中显示有用 来组装图1的喷嘴本体9的喷嘴装置8,且此喷嘴装置8做为填充气体(例如氮气)至晶圆 盒(图未示)内之用,气体流向如箭号所示。由图2可知,公知喷嘴结构的喷嘴本体9因呈锥状故在夹角区域92容易堆积微 粒,换言之,公知喷嘴结构的喷嘴本体9会因结构上的限制而不易排除内积的微粒,故利用 喷嘴装置8填充气体至晶圆盒内时,前述所堆积的微粒即容易跟着气流进入晶圆盒内而造 成晶圆片受到污染,实非十分理想。因 ...
【技术保护点】
一种改进的喷嘴结构,其特征在于,包含喷嘴本体,该喷嘴本体包括上部、颈部及贯孔,该上部呈漏斗状并向下朝内逐渐内缩,该颈部接续于该上部并由该上部向下延伸,该贯孔贯穿该上部与该颈部,该上部并包含顶面,该顶面朝向该贯孔凸伸有复数个凸缘,每一凸缘之间并彼此间隔出一流道,这些流道连通于该贯孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴俊龙,
申请(专利权)人:华景电通股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]
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