电阻模型提取方法技术

本发明专利技术公开一种电阻模型提取方法，该电阻模型具有多个级联电阻并用于分压电路中，该方法至少包含：分别通过改变该电阻模型的长度与宽度，并根据传统二节点电阻提取公式，提取所需参数值；以及根据该所需参数值，提取该多个级联电阻的各个电阻值，通过本发明专利技术的电阻模型提取方法，可以达到对具有多个节点的分压电路的电阻模型进行准确提取的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别是关于一种分压电路的抽头电阻模型提 取方法。
技术介绍
电阻是电路中最基本的元器件之一，其基本定义是衡量电子通过某种材料的难易 程度，其定量计算式如下R = p^ 丄式 1S其中，L和S为电阻材料的长度和横截面的面积。长度越长，电子通过的难度越大， 电阻越大；横截面的面积越小，电子通过越难，电阻越大；P为电阻率，单位为Ω.Π1，表征某 种材料的导电性能，根据电阻率大小程都一般将材料分为绝缘体、导体和半导体。为了准确控制电阻值，分离器件的电阻一般使用特殊材料制成，如金属膜电阻使 用电阻率稳定的某些金属或其氧化膜，制造时将该材料涂抹在绝缘磁管上，然后蚀刻成 螺旋状以增加有效长度和控制截面积，并按相应的方法来计算电阻值；为改善螺旋的电 感效应，现代器件一般使用表面贴装的电阻，这种电阻一般做成080x050或060x030或 040x020mil等长方体块的封装形式，其电阻计算或提取遵从相应规律。为进一步减小电路 和最终产品的体积，集成电路被大量使用，电阻以更小的形式在集成电路里被大量使用，典 型形式如MOS电阻、多晶硅电阻，而多晶硅电阻(方块电阻)是集成电路中最常使用的一 种。在集成电路里，所使用的工艺决定各部分的材料的厚度包括多晶硅电阻的厚度， 它们在本工艺场景下是固定的，因此上面的式1可变形为 LL P L 7 L「fifiri7l R = p^<— = px-= — χ ——=Rsnx—-f 9L0007」h Wxt t ψW^z其中，Rsh= P/t，定义为方块电阻的电阻率，单位为Ω/□，L为方块电阻长度， W为方块电阻宽度，L和W单位相同(一般为ym)。考虑到集成电路蚀刻和其他因素的影响，其有效长度和有效宽度均和设计值存在 一定的误差，典型情况如蚀刻等引起的长度和宽度变化，定义考长度和宽度的误差为等效 误差DelataL和DeltaW，综合或提取电阻值时需要充分考虑；另外，一般电阻两端需要和金 属引线相连以便于将电阻有效连接在其他电路中，这两个金属节点会产生固定的端接电阻 Rendl和Rend2，或以Rend表示，Rend = Rendl+Rend2。考虑上述因素，传统的多晶硅电阻 提取表达式变化为下式R = RshX (L+DeltaL)/(ff+Deltaff) +Rend, Rend = Rendl+Rend2式 3式中DeltaL和DeltaW为蚀刻长度误差与蚀刻宽度误差，Rend为两端引线造成的 固有电阻。图1是一种经常用于分压电路的电阻模型，Rendl与Rend2分别为两端引线造成的固有电阻，Length为电阻长度，Width为电阻宽度，由于图1分压电路的电阻模型中涉及多个节点(如RtapU Rtap2、Rtap3......Rtapn-I以及Rtapn)，故传统二节点电阻提取公式(式3)不能适用。综上所述，可知先前技术中存在用于分压电路的电阻模型由于涉及多个节点而无 法采用传统的二节点电阻提取方法提取获得的问题，因此实有必要提出改进的技术手段， 来解决此一问题。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的由于用于分压电路的电阻涉及多个节点而无法由传 统的二节点电阻提取方法提取电阻的缺点，本专利技术的主要目的在于提供一种电阻模型提取 方法，其通过对电源模型长度与宽度的改变，利用传统电阻提取公式提取所需参数值，以达 到对具有多个节点的分压电路的电阻模型进行准确提取的目的。为达上述及其它目的，本专利技术一种，该电阻模型具有多个节点 并用于分压电路中，该方法至少包含步骤101，分别改变该电阻模型的长度与宽度，并根据传统二节点电阻提取公式， 提取所需参数值；以及步骤102，根据该所需参数值，提取该电阻模型各个级联电阻的电阻值。该所需参数值包括电阻率、蚀刻长度误差、蚀刻宽度误差以及两端引线造成的固 有电阻。进一步地，步骤101更包括如下步骤改变该电阻模型的长度，并在该电组模型两端间加偏置电压，测量不同长度时电 阻的电阻值，提取该蚀刻宽度误差；改变该电阻模型的宽度，并在该电阻模型两端间加偏置电压，测量不同宽度时电 阻的电阻值，提取该蚀刻长度误差以及该两端引线造成的固有电阻；以及选择一组不同长度或宽度的电阻，在上半部节点或下半部节点间测量节点间的电 阻，根据该传统二节点电阻提取公式提取获得断电阻。进一步地，在步骤101之后，还存在如下步骤多次改变该电阻模型的长度与宽 度，并分别根据该传统二节点电阻提取公式提取该所需参数值，并对多次提取的该所需参 数值进行数值拟合，以获得该所需参数值的优化值。该传统二节点提取公式为R= RshX (L+DeltaL)/(W+DeltaW)+Rend，其中，Rsh 为 电阻率，DeltaL为蚀刻长度误差，Deltaff为蚀刻宽度误差，Rend为该电阻模型两端引线造 成的固有电阻该断电阻为节点连接形成的电阻。与现有技术相比，本专利技术一种通过改变电阻模型的长度与宽 度，并根据传统二节点电阻提取公式提取所需参数值，并可通过电路描述语言描述具有该 电阻模型的分压电路，多次改变电阻模型的长度与宽度，提取多组所需参数值，并进行数值 拟合获得更准确的参数值，可以获得具有多个抽头的电阻网络的各抽头间电阻值，达到了 对具有多个节点的分压电路的电阻模型进行准确提取的目的，由此组成的分压电路的分压 也很容易计算。附图说明图1为常用的分压电路的电阻模型示意图；图2为图1中电阻模型的等效子电路；图3为本专利技术一种的流程图；图4为图3中步骤101的详细流程图。具体实施例方式以下通过特定的具体实例并结合附图说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可 由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术亦可通过其它不同 的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离 本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。图2为本专利技术较佳实施例中用于分压电路的抽头电阻模型的等效电路。为便于理 解本专利技术，在此将图1的电阻模型等效为图2的子电路。根据图2，本专利技术用于分压电路的电阻模型包括多个级联电阻R1、R2.......R(n/2+l)，其具有多个节点，其中，Rtapl、Rtap3、Rtap5. · · · Rtapn-I为上半部节点，Rtap2、Rtap4、Rtap6......Rtapn为下半部节点，具体来说，节点Rtapl与节点Rtap2为电阻Rl与电阻R2之间的节点，节点Rtap3与节点Rtap4为 电阻R3与电阻R4之间的节点，依此类推，节点Rtap(n-l)与节点Rtap(n)为电阻R(n/2) 与电阻R(n/2+l)之间的节点。图3为本专利技术之的流程图。本专利技术之电路模型提取方法，用于 分压电路，包括以下步骤步骤101，分别改变电阻模型的长度与宽度，根据传统二节点电阻提取公式，提 取所需参数值，具体来说，这里的所需参数值包括方块电阻的电阻率Rsh、蚀刻长度误差 DeltaL,时刻宽度误差DeltaW以及两端引线造成的固有电阻Rend，传统二节点电阻提取公 式为R = RshX (L+DeltaL) / (ff+Deltaff) +Rend, Rend = Rendl+Rend2，其中 Rsh 为电阻模型 的方块电阻的电阻率，DeltaL和DeltaW本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻模型提取方法，该电阻模型具有多个级联电阻，并用于分压电路中，该方法至少包含：步骤１０１，分别改变该电阻模型的长度与宽度，并根据传统二节点电阻提取公式，提取所需参数值；以及步骤１０２，根据该所需参数值，提取该电阻模型各个级联电阻的电阻值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冰冰，张昊，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]