【技术实现步骤摘要】
本专利技术的多种实施方式涉及一种半导体器件，更具体地，涉及三维结构的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、近来，提出了包括以三维布置的存储单元的三维半导体器件。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施方式涉及一种包括高度集成的存储单元的半导体器件。本专利技术的其他实施方式涉及一种用于制造半导体器件的方法。
2、根据本专利技术的一个实施方式，一种半导体器件包括：下结构；水平层，在下结构之上在平行于下结构的表面的方向上延伸，并且包括第一端和第二端；分立接触节点，耦接到水平层的第一端而在垂直于下结构的表面的方向上延伸，且包括第一杂质；以及在水平层中的掺杂区，掺杂区包括从分立接触节点扩散来的第一杂质。
3、根据本专利技术的另一实施方式，一种半导体器件包括：竖直导线，在下结构之上在垂直于下结构的第一方向上延伸；水平层，在平行于下结构的第二方向上延伸并且包括耦接到竖直导线的第一端和横向面对第一端的第二端；分立接触节点，耦接到水平层的第二端并且包括第一杂质；在水平层中的掺杂区，...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点的竖直厚度大于所述水平层的竖直厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点、所述掺杂区和所述水平层包括相同的半导体材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包含掺杂的半导体材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包括掺杂多晶硅或掺杂外延硅层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平层包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点的竖直厚度大于所述水平层的竖直厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点、所述掺杂区和所述水平层包括相同的半导体材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包含掺杂的半导体材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包括掺杂多晶硅或掺杂外延硅层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平层包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述共享接触节点包括掺杂多晶硅。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包括竖直侧壁结构、刨削结构或球结构。
10.一种半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点在所述第一方向上的竖直厚度大于所述水平层在所述第一方向上的竖直厚度。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述分立接触节点包括掺杂多晶硅或掺杂外延硅层。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述水平层包括：
14.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：申完燮，柳丞昱，田卿彬，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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