【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示设备。更具体地，本专利技术涉及一种包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示设备，其中短沟道效应可减少。
技术介绍
1、正在开发诸如液晶显示设备(lcd)、有机发光显示设备(oled)以及量子点显示设备之类的各种显示设备。
2、薄膜晶体管广泛用作在各种显示设备中的开关元件或驱动元件。薄膜晶体管可分类为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管以及氧化物半导体薄膜晶体管。
3、近来，随着大面积模式和高清晰度模式在显示设备中增多，有利于确保显示面板中的一致性并且具有高迁移率的氧化物半导体薄膜晶体管广泛用在显示设备中。
技术实现思路
1、有源矩阵型显示设备的子像素设置有包括驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管的像素电路。
2、在用于高清晰度模式的显示设备(例如在移动电话中使用的显示设备)中，子像素的尺寸较小，从而设置在子像素中的薄膜晶体管的尺寸存在限制。
3、因此，为了实现稳定的子像素操作，驱动薄膜晶体管的沟道长度被设计为相对大于开关薄膜晶体...
【技术保护点】
1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二层间绝缘膜由硅氮化物膜制成，
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二层间绝缘膜包括：设置在所述第一层间绝缘膜上的第二下层间绝缘膜；以及设置在所述第二下层间绝缘膜上的第二上层间绝缘膜，
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第二下层间绝缘膜和所述第二上层间绝缘膜的每一个由硅氮化物膜制成，
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一层间绝缘膜由硅氧化物制成，
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中所述第一部分在沟道长度方向上的...
【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二层间绝缘膜由硅氮化物膜制成，
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二层间绝缘膜包括：设置在所述第一层间绝缘膜上的第二下层间绝缘膜；以及设置在所述第二下层间绝缘膜上的第二上层间绝缘膜，
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第二下层间绝缘膜和所述第二上层间绝缘膜的每一个由硅氮化物膜制成，
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一层间绝缘膜由硅氧化物制成，
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中所述第一部分在沟道长度方向上的尺寸大于所述栅极在所述沟道长度方向上的尺寸。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中所述第二层间绝缘膜由硅氮化物制成，
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一层间绝缘膜包括：
9.根据权利要...
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