【技术实现步骤摘要】
本专利技术的多种实施方式涉及一种半导体装置，更具体地，涉及包括三维布置的存储器单元的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、近来，为了应对存储器装置的容量增大和小型化，已经提出了一种用于提供三维(3d)存储器装置(多个存储器单元堆叠于其中)的技术。
技术实现思路
1、本专利技术的实施方式涉及一种包括能够实现高集成度和高操作速度的存储器单元的半导体装置以及一种用于制造该半导体装置的方法。
2、根据本专利技术的实施方式，一种半导体装置包括：下结构；水平导线，在下结构之上水平取向；数据存储元件，设置在下结构之上以与水平导线间隔开；垂直导线，在水平导线和数据存储元件之间垂直取向；水平层，在水平导线和数据存储元件之间水平取向，并且包括邻近于垂直导线设置的凹陷侧；以及体接触部，通过穿过水平层而垂直取向。
3、根据本专利技术的另一实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在下结构之上形成单元隔离层和水平层的交替堆叠；在交替堆叠中形成单元堆叠结构和隔离结构；在单元堆叠结构中形成垂直开口以在单元堆叠结构的第一侧形成凹陷侧；形成填充垂直开口并且邻近于凹陷侧设置的垂直导线；形成耦接至单元堆叠结构的水平层的第一端的水平导线；形成耦接至水平层的第二端的数据存储元件；以及形成体接触部以垂直地穿过单元堆叠结构。
4、根据本专利技术的另一实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在第一衬底中形成存储器单元阵列；在第二衬底中形成外围电路部分；以及通过键合结构键合第一衬底和第二
5、根据本专利技术的另一实施方式，一种半导体装置包括：下结构；以及存储器单元阵列，其中存储器单元阵列包括：水平导线，在垂直于下结构的方向上设置；数据存储元件，与水平导线间隔开；垂直导线，在水平导线和数据存储元件之间垂直取向；水平层，在水平导线和数据存储元件之间水平取向，并且包括邻近于垂直导线设置的凹陷侧；以及体接触部，垂直取向以穿过水平层。
6、根据本专利技术的另一实施方式，一种半导体装置包括：下结构；三维阵列，包括在下结构之上垂直取向的凹陷沟道晶体管的列阵列；以及垂直体接触部，在下结构之上垂直取向并且共同耦接至三维阵列的列阵列的凹陷沟道晶体管，其中三维阵列的列阵列的凹陷沟道晶体管中的每一个包括水平凹陷沟道和公共垂直栅极线。
7、根据本专利技术的另一实施方式，一种半导体装置包括：下结构；第一导线，在下结构的顶表面之上平行于其延伸；数据存储元件，设置在下结构之上；第二导线，在下结构之上垂直延伸并且设置在第一导线和数据存储元件之间；水平层，在第一导线和数据存储元件之间平行于下结构的顶表面取向，并且包括邻近于垂直导线设置的凹陷侧；以及体接触部，穿过水平层并且垂直取向。
8、从下面的附图和详细描述中，本专利技术的这些和其他特征和优点对于技术人员来说将变得显见。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述体接触部包括导电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述体接触部包括半导体材料、金属、金属氮化物、金属硅化物或者它们的组合。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧包括彼此面对的第一凹陷侧和第二凹陷侧，以及
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧的横截面包括弧形形状、弯曲形状或棱角形状。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储元件包括电容器。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平层包括半导体材料、氧化物半导体材料、单晶硅、多晶硅或者它们的组合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平导线包括金属基材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下结构包括半导体衬底或外围电路部分。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直导线包括字线，以及p>
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧包括一个单凹陷侧，以及
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储元件包括单筒电容器或双筒电容器。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平导线、所述数据存储元件、所述垂直导线、所述水平层和所述体接触部形成存储器单元阵列的存储器单元。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述存储器单元阵列包括动态随机存取存储器单元阵列。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述晶圆键合结构包括金属对金属键合或混合键合。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述存储器单元阵列和所述外围电路部分包括COP结构或POC结构，COP指单元在外围电路之上，POC指外围电路在单元之上。
19.一种用于制造半导体装置的方法，包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，在所述单元堆叠结构中形成所述垂直开口中，
21.根据权利要求20所述的方法，其中，在形成所述垂直导线中，
22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述体接触部包括导电材料。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述体接触部包括半导体材料、金属、金属氮化物、金属硅化物或者它们的组合。
24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述凹陷侧的横截面包括弧形形状、弯曲形状或棱角形状。
25.根据权利要求19所述的方法，其中，所述数据存储元件包括电容器。
26.根据权利要求19所述的方法，其中，所述水平层包括半导体材料、氧化物半导体材料、单晶硅、多晶硅或者它们的组合。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述体接触部包括导电材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述体接触部包括半导体材料、金属、金属氮化物、金属硅化物或者它们的组合。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧包括彼此面对的第一凹陷侧和第二凹陷侧，以及
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧的横截面包括弧形形状、弯曲形状或棱角形状。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储元件包括电容器。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平层包括半导体材料、氧化物半导体材料、单晶硅、多晶硅或者它们的组合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平导线包括金属基材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下结构包括半导体衬底或外围电路部分。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述垂直导线包括字线，以及
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹陷侧包括一个单凹陷侧，以及
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储元件包括单筒电容器或双筒电容器。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述水平导线、所述数据存储元件、所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵昶贤，姜明辰，郭峻河，赵镇先，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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