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本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：下结构；水平导线，在下结构之上水平取向；数据存储元件，设置在下结构之上以与水平导线间隔开；垂直导线，在水平导线和数据存储元件之间垂直取向；水平层，在水平导线和数据存储元件之间水平取向，并且包...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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