【技术实现步骤摘要】
本专利技术的多个实施例总体上涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括掩埋栅的半导体装置，以及用于制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、近来，为了提高半导体装置的集成度，已经引入包括掩埋在半导体衬底内部的栅电极或字线的掩埋栅。
技术实现思路
1、本专利技术的多个实施例涉及具有更高可靠性的掩埋栅的半导体装置。本专利技术的多个实施例涉及用于制造半导体装置的一种改进方法。
2、根据本专利技术的一个实施例，一种半导体装置包括：隔离层，形成以限定衬底中的包括有源鳍的有源区；栅沟槽，所述栅沟槽跨越所述有源鳍和所述隔离层延伸；以及掩埋栅，填充所述栅沟槽，还包括设置在所述有源鳍的侧壁上的鳍栅、设置在所述有源鳍之上的有源栅以及设置在所述隔离层之上的通过栅，其中所述通过栅的底表面设置在比所述有源栅的底表面高的水平处，并且所述鳍栅的底表面设置在比所述有源栅的底表面低的水平处。
3、根据本专利技术的另一实施例，一种半导体装置包括：隔离层，形成以限定衬底中的包括有源鳍的有源区；栅沟槽，所述栅沟槽...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个所述有源鳍包括上表面，以及水平地彼此面对的第一侧壁和第二侧壁，所述上表面介于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述鳍栅、所述有源栅和所述通过栅的上表面设置在同一水平处，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离层包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述有源鳍的上表面设置在比所述第一隔离部的上表面高的水平处，以及
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一隔离部包括...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个所述有源鳍包括上表面，以及水平地彼此面对的第一侧壁和第二侧壁，所述上表面介于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述鳍栅、所述有源栅和所述通过栅的上表面设置在同一水平处，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离层包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述有源鳍的上表面设置在比所述第一隔离部的上表面高的水平处，以及
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一隔离部包括氧化硅单层结构，以及
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个所述有源栅、所述鳍栅和所述通过栅包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极包括：
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极包括氮化钛，以及所述第二栅电极包括氮化钛硅。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极包括氮化钛，以及所述第二栅电极包括采用功函数调节元素掺杂的氮化钛硅，以及
11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述偶极诱导层包括含镧的材料。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述鳍栅、所述有源栅和所述通过栅包括相同的导电材料。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述鳍栅和所述有源栅包括导电材料，以及所述通过栅包括电介质材料。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述鳍栅和所述有源栅包括导电性低电阻电极、导电性低功函数电极以及在所述导电性低电阻电极和所述导电性低功函数电极之间的偶极诱导层，以及
15.一种半导体装置，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，每个所述有源鳍包括上表面，以及水平地相对的第一侧壁和第二侧壁，所述上表面介于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间，
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述隔离层包括：
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，每个所述有源栅和所述鳍栅包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述第二栅电极包括具有比所述第一栅电极的功函数高的功函数的材料。
20.根据权利要求18所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。