具有无机管芯间填充结构的IC管芯复合物制造技术

本文公开了具有无机管芯间填充结构的IC管芯复合物。准单片多管芯复合物包括位于相邻的IC管芯之间的空间内的主要填充结构。可以具有无机成分的填充材料层可以接合到主体基板，并且可以被图案化，从而形成占据主体基板的第一部分的主要填充结构。IC管芯可以接合到主体基板的不存在主要填充结构的开口内的区域，从而具有与主要填充结构互补的空间布置。主要填充结构可以具有与IC管芯的厚度基本上匹配的厚度，并且/或者可以与IC管芯中的一个或多个IC管芯的表面共面。然后可以在开口的剩余部分内沉积间隙填充材料，从而形成占据IC管芯与主要填充结构之间的空间的次要填充结构。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、单片集成电路(ic)制作具有可能限制最终产品的性能的制约因素，并且因此正在研究不同版本的ic管芯集成(或分解)。然而，迄今为止，这些技术和架构一般存在某些缺点，例如高成本、较低的插入效率和增加的z高度。

2、ic管芯分解技术依赖于封装级的多管芯集成的进步。在电子设备制造中，ic封装是半导体装置制作的一个阶段，其中已经在包括半导体材料的芯片(或管芯)上单片地制作的ic被组装成“封装”，该“封装”可以保护ic芯片免受物理损坏，并且支撑将ic连接到缩放的主体部件(例如有机封装基板或印刷电路板)的电接触部。多个芯片可以类似地组装在一起，例如，组装成芯片封装(mcp)。

3、这样的多芯片架构可以有利地组合来自异质硅工艺的ic芯片和/或组合来自相同硅工艺的小的解聚芯片。然而，将多个ic管芯集成到这样的芯片级单元中存在许多挑战。例如，管芯间填充材料(例如基于环氧树脂的模制物)可能引入高应力，随着多管芯复合结构的厚度减小，高应力可能导致机械可靠性问题。在管芯间空间填充有无机材料以便减轻应力导致的失效的替代性管芯间填充技术中，间隙填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路(IC)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路(IC)装置，其中，所述次要填充结构包括大约位于所述空间的所述第一剩余部分和所述第二剩余部分中的每者的中部的接缝。

3.根据权利要求1所述的集成电路(IC)装置，其中，所述次要填充结构与所述主要填充结构的侧壁接触，并且与所述第一IC管芯和所述第二IC管芯中的每者的侧壁接触。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路(IC)装置，其中：

5.根据权利要求4所述的集成电路(IC)装置，其中，所述空间的所述第一剩余部分和所述第二剩余部分的宽度不相等，并且相差所述第一剩余部分...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路(ic)装置，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路(ic)装置，其中，所述次要填充结构包括大约位于所述空间的所述第一剩余部分和所述第二剩余部分中的每者的中部的接缝。

3.根据权利要求1所述的集成电路(ic)装置，其中，所述次要填充结构与所述主要填充结构的侧壁接触，并且与所述第一ic管芯和所述第二ic管芯中的每者的侧壁接触。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路(ic)装置，其中：

5.根据权利要求4所述的集成电路(ic)装置，其中，所述空间的所述第一剩余部分和所述第二剩余部分的宽度不相等，并且相差所述第一剩余部分或所述第二剩余部分中的较小者的至少50％。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路(ic)装置，其中：

7.根据权利要求6所述的集成电路(ic)装置，其中：

8.根据权利要求6所述的集成电路(ic)装置，其中，所述沟槽在所述第一ic管芯的所述两个或更多个侧壁边缘与所述主要填充结构的面向所述第一ic管芯的所述侧壁边缘的两个或更多个对应的侧壁边缘之间具有不同的宽度。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路(ic)装置，其中，所述主要填充结构的顶表面与所述第一ic管芯或所述第二ic管芯中的至少一者的所述第二表面基本上共面。

10.根据权利要求9所述的集成电路(ic)装置，其中，所述主要填充结构的所述顶表面与所述次要填充结构的顶表面基本上共面。

11.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路(ic)装置，其中，所述主要填充结构具有显著高于所述次要填充结构的硅或金属含量。

12.根据权利要求11所述的集成电路(ic)装置，其中，所述主要填充结构主要...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·俊，A·埃尔谢尔比尼，O·卡尔哈德，B·J·克里什纳特赖亚，M·E·卡比尔，J·肖恩格蒂特，T·塔卢克达尔，S·利夫，J·斯旺，F·艾德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：