一种晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体管及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以减小晶体管中的寄生电容，从而提高晶体管的性能。所述晶体管包括：衬底、栅堆叠、侧墙、源/漏区和空气间隙。栅堆叠形成在衬底上。栅堆叠包括形成在衬底上的栅介质层、以及位于栅介质层上的栅电极。侧墙形成在衬底上、且至少位于栅堆叠沿长度方向的两侧。源/漏区形成在衬底中、且位于栅堆叠沿长度方向的两侧。空气间隙形成在衬底上。空气间隙位于衬底和栅电极之间、且位于栅介质层和侧墙之间。所述晶体管的制造方法用于制造所述晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶体管及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术在器件制造方面集成化程度的快速提高，晶体管作为半导体器件的开关，其尺寸和性能对半导体器件性能的影响也越来越大，而晶体管的尺寸和性能与其结构和制造方法直接关联。

2、由于晶体管结构的特殊性，其每个端子之间都可能产生寄生电容，造成电阻-电容(rc)的延迟。寄生电容的数值虽小，却是引起干扰的重要原因。因此，如何减少晶体管中寄生电容的发生，提高半导体器件的性能，是目前的关键技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种晶体管及其制造方法，以减小晶体管中寄生电容，从而提高晶体管的性能。

2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种晶体管。该晶体管包括：衬底；

3、栅堆叠，形成在衬底上；栅堆叠包括形成在衬底上的栅介质层、以及位于栅介质层上的栅电极；

4、侧墙，形成在衬底上、且至少位于栅堆叠沿长度方向的两侧；

5、源/漏区，形成在衬底中、且位于栅堆叠沿长度方向的两侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的侧面为竖直平面；

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述侧墙为条状侧墙；所述条状侧墙沿所述栅堆叠的宽度方向延伸、且覆盖在所述栅堆叠沿长度方向的两侧。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述空气间隙为条状空气间隙，所述条状空气间隙沿着所述栅堆叠的宽度方向延伸、且覆盖在所述栅介质层沿长度方向的两侧。

5.根据权利要求1～4任一项所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为SiO2和SiON中的一种或两种；>

6.一种晶体...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的侧面为竖直平面；

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述侧墙为条状侧墙；所述条状侧墙沿所述栅堆叠的宽度方向延伸、且覆盖在所述栅堆叠沿长度方向的两侧。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述空气间隙为条状空气间隙，所述条状空气间隙沿着所述栅堆叠的宽度方向延伸、且覆盖在所述栅介质层沿长度方向的两侧。

5.根据权利要求1～4任一项所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为sio2和sion中的一种或两种；

6.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成栅堆叠，包括：

8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勋，刘金彪，杨涛，李俊峰，贺晓彬，王垚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：