一种高介电常数、高耐压的Y5V型陶瓷电容器电介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高介电常数、高耐压的Y5V型陶瓷电容器电介质材料及其制备方法。所述Y5V型陶瓷电容器电介质材料包括主料固溶体xMg‑(1‑x)Ba<subgt;0.95</subgt;Ca<subgt;0.05</subgt;Ti<subgt;0.85</subgt;Zr<subgt;0.15</subgt;O<subgt;3</subgt;和二次添加剂，所述二次添加剂包括稀土氧化物、ZnO、Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;、MnCO<subgt;3</subgt;、SiO<subgt;2</subgt;、BaSiO<subgt;3</subgt;中的至少一种，所述二次添加剂的总摩尔含量占主料固溶体的0.5‑3%。与现有技术相比，本发明专利技术的优势在于：具有高介电常数（8000～16000）、低损耗（≤2%）、本征直流击穿电压≥16kV/mm，‑30℃容温变化率为‑82至‑54%，85℃容温变化率为‑70至‑30%，满足Y5V温度特性要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件的陶瓷材料领域，特别涉及一种高介电常数、高耐压的y5v型陶瓷电容器电介质材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着现代科技的快速发展，电子设备不断向小型化、轻型化发展，高性能陶瓷电容器的需求量急剧增加，带动了电容器产业的快速发展。目前，高性能陶瓷电容器已广泛用于各类电子和电源模块中，是智能电子产品、网络通讯设备、高端医疗器械、电力电网装置及新能源汽车中不可或缺的关键电子元件。其中，y5v型陶瓷电容器(-30至+85℃的容温变化率为-82％至22％)具有高容量、低损耗、良好的可靠性等优点而在滤波、耦合、振荡等电路中得到广泛应用，但大部分y5v型陶瓷电容器耐压强度不高，限制了其更广阔的发展。若进一步提高y5v型陶瓷电容器的耐压性能，该电容器更加适合应用于脉冲电子技术中，如电磁炮等。

2、常规的陶瓷电介质材料往往不能同时满足高介电常数(>10000)、高耐压、低损耗等要求。目前，已有部分专利报道了以batio3为主要成分的、具有高介电常数及高耐压的y5v型陶瓷电容器电介质材料。例如cn112299845a通过对batio3掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高介电常数、高耐压的Y5V型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，所述Y5V型陶瓷电容器电介质材料包括主料固溶体xMg-(1-x)Ba0.95Ca0.05Ti0.85Zr0.15O3和二次添加剂，所述二次添加剂包括稀土氧化物、ZnO、Nb2O5、MnCO3、SiO2、BaSiO3中的至少一种，所述二次添加剂的总摩尔含量占主料固溶体的0.5-3%。

2.根据权利要求1所述的Y5V型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，0.0005≤x≤0.018。

3.根据权利要求1或2所述的Y5V型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，所述二次添加剂包括稀土氧化物Re2O3添加剂和额...

【技术特征摘要】

1.一种高介电常数、高耐压的y5v型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，所述y5v型陶瓷电容器电介质材料包括主料固溶体xmg-(1-x)ba0.95ca0.05ti0.85zr0.15o3和二次添加剂，所述二次添加剂包括稀土氧化物、zno、nb2o5、mnco3、sio2、basio3中的至少一种，所述二次添加剂的总摩尔含量占主料固溶体的0.5-3%。

2.根据权利要求1所述的y5v型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，0.0005≤x≤0.018。

3.根据权利要求1或2所述的y5v型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，所述二次添加剂包括稀土氧化物re2o3添加剂和额外添加剂，所述稀土氧化物re2o3添加剂为y2o3、sm2o3、la2o3、yb2o3、dy2o3中的一种或多种，所述额外添加剂为zno、nb2o5、mnco3、sio2、basio3中的至少一种。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的y5v型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，稀土氧化物re2o3添加剂的摩尔含量占主料固溶体的0.2%以下。

5.根据权利要求3或4所述的y5v型陶瓷电容器电介质材料，其特征在于，所述额外添加剂为z...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾燕，刘志甫，张发强，陆毅青，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：