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本发明公开了一种晶体管及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以减小晶体管中的寄生电容，从而提高晶体管的性能。所述晶体管包括：衬底、栅堆叠、侧墙、源/漏区和空气间隙。栅堆叠形成在衬底上。栅堆叠包括形成在衬底上的栅介质层、以及位于栅介质层上的栅...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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