【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体薄膜生长，特别是涉及一种氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构。
技术介绍
1、随着存储器工艺尺寸的不断微缩，具备优异填洞性能的氧化硅（sio2）制程越发受到各大晶圆厂的青睐。目前，sod (spin-on dielectric)作为一种旋转涂布的制程，因其工艺条件温和且填洞性能优异，可被广泛应用到各类工艺器件的生产中，尤其是氧化硅薄膜的制程中。然而，sod制程的前驱体spinfil（即旋涂介电材料） 价格昂贵且原料难以长期保存，使得各大晶圆厂的生产成本居高不下。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供了一种氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构，利于降低生产成本并提升氧化硅薄膜的制程稳定性及生产良率。
2、为了实现上述目的，一方面，本公开一些实施例提供了一种氧化硅薄膜的制备方法，包括如下步骤。
3、提供前驱体溶液，用前驱体溶液形成初始前驱体。
4、对初始前驱体进行微波处理。
5、对微波处理后的初始前驱体进行氮等离子体处理得到前驱体。
6、在水汽环境下对前驱体进行退火，形成氧化硅薄膜。
7、在本公开一些实施例中，前驱体溶液包括活化剂。
8、在本公开一些实施例中，前驱体溶液的溶质包括聚硅氧烷。前驱体溶液的溶剂包括二甲基甲酰胺或二甲基亚砜。活化剂包括聚山梨酯。
9、在本公开一些实施例中，前驱体溶液中溶质的质量分数的取值范围为：0.5%~2%。
10、在本公开一些实施例中，
11、在本公开一些实施例中，烘烤形成初始前驱体的烘烤温度的取值范围为90℃~200℃。旋涂前驱体溶液时的旋涂转速的取值范围为500r/min~1500r/min。
12、在本公开一些实施例中，微波处理的输出功率的取值范围为2000w~3000w。
13、在本公开一些实施例中，氮等离子体处理的输出功率的取值范围为450w~800w，氮等离子体处理的射频周期的取值范围为45s~70s。
14、在本公开一些实施例中，氮等离子体处理的含氮气体包括：n2、 n2o、no2和n2o3中的至少一种。含氮气体的流量取值范围为4800sccm~6000sccm。
15、另一方面，本公开一些实施例还提供了一种半导体结构，包括：根据上述任一些实施例所述的方法得到的氧化硅薄膜。
16、本公开实施例可以/至少具有以下优点：
17、本公开实施例中，可以提供前驱体溶液以用前驱体溶液形成初始前驱体。这样在对初始前驱体进行微波处理后，可以对微波处理后的初始前驱体进行氮等离子体处理得到前驱体。之后，在水汽环境下对该前驱体进行退火，可以形成氧化硅薄膜。如此，相较于sod制程的前驱体spinfil（即旋涂介电材料），本公开实施例采用上述制备方法可以极大地降低生产成本，并确保该前驱体能够在水汽环境下退火后充分转换为氧化硅薄膜，以有效提升氧化硅薄膜的制程稳定性及生产良率。
18、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本公开的其他特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
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1.一种氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液包括活化剂。
3.根据权利要求2所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中溶质的质量分数的取值范围为：0.5%~2%。
5.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，用所述前驱体溶液形成初始前驱体，包括：基于旋转工作台将所述前驱体溶液旋涂至衬底上；
6.根据权利要求5所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述微波处理的输出功率的取值范围为2000W~3000W。
8.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮等离子体处理的输出功率的取值范围为450W~800W，所述氮等离子体处理的射频周期的取值范围为45s~70s。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮等离子体处
10.一种半导体结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液包括活化剂。
3.根据权利要求2所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中溶质的质量分数的取值范围为：0.5%~2%。
5.根据权利要求1所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，用所述前驱体溶液形成初始前驱体，包括：基于旋转工作台将所述前驱体溶液旋涂至衬底上；
6.根据权利要求5所述的氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：余鹏祥，
申请(专利权)人：长鑫新桥存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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