【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
1、随着移动设备的不断发展，手机、平板电脑、可穿戴设备等带有电池供电的移动设备被越来越多地应用于生活中，存储器作为移动设备中必不可少的元件，人们对存储器的小体积、集成化提出了巨大的需求。
2、目前，动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）以其快速的传输速度被广泛应用于移动设备中。但是，在dram的制作工艺中，由于不同区域的膜层不同，使得不同区域的接触（contact，ct）插塞需要单独的制作，导致dram的制作工艺复杂、生产成本较高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：
2、提供基底，所述基底包括位于第一区域的第一叠层和位于第二区域的第二叠层，所述第一叠层包括依次堆叠的第一导电层、第一介质层和第二介质层，所述第二叠层包括依次堆叠的第二导电层和第三介质层，所述第一介质层和所述第二介质层的材料不同，所述第二介质层和所述第三介质层的材料相同，在垂直于所述基底的方向上，所述第一叠层的厚度大于所述第二叠层的厚度；
3、形成覆盖所述基底的阻挡层；
4、在所述阻挡层上形成图案化的第一硬掩模层，所述第一硬掩模层包括第一开口图案和第二开口图案，所述第一开口图案和所述第二开口图案分别暴露所述第一叠层和所述第二叠层上的所述阻挡层，所述第一开口图案的特征尺寸大于所述第二开口图案的特征尺寸；
5、在所
6、以形成有所述间隔层的第一硬掩模层为刻蚀掩模，刻蚀所述第一叠层上的所述阻挡层，以在所述阻挡层中形成第三开口图案；
7、去除所述间隔层，并将所述第三开口图案、所述第一开口图案和所述第二开口图案分别转移至所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中，以在所述第一介质层和所述第二介质层中形成暴露所述第一导电层的第一接触孔，并在所述第三介质层中形成暴露所述第二导电层的第二接触孔；
8、在所述第一接触孔和所述第二接触孔中分别形成第一接触插塞和第二接触插塞，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞分别与所述第一导电层和所述第二导电层连接。
9、在一些实施例中，所述制作方法还包括：
10、形成覆盖所述基底的第二硬掩模层；其中，所述第二硬掩模层位于所述基底和所述阻挡层之间；
11、所述将所述第三开口图案、所述第一开口图案和所述第二开口图案分别转移至所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中，包括：
12、执行第一刻蚀，选择性刻蚀所述第二硬掩模层，以将所述第三开口图案转移至所述第二硬掩模层；
13、执行第二刻蚀，选择性刻蚀所述阻挡层，以将所述第一开口图案和所述第二开口图案转移至所述阻挡层；
14、执行第三刻蚀，选择性刻蚀所述第二介质层，以将所述第三开口图案转移至所述第二介质层；
15、执行第四刻蚀，选择性刻蚀所述第二硬掩模层，以将所述第一开口图案和所述第二开口图案转移至所述第二硬掩模层；
16、执行第五刻蚀，刻蚀所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层，以将所述第三开口图案转移至所述第一介质层，将所述第一开口图案转移至所述第二介质层，并将所述第二开口图案转移至所述第三介质层，从而形成所述第一接触孔和所述第二接触孔。
17、在一些实施例中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第五刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相同。
18、在一些实施例中，所述制作方法还包括：
19、形成覆盖所述基底的第二硬掩模层；其中，所述第二硬掩模层位于所述基底和所述阻挡层之间；
20、所述将所述第三开口图案、所述第一开口图案和所述第二开口图案分别转移至所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层中，包括：
21、执行第六刻蚀，选择性刻蚀所述第二硬掩模层，以将所述第三开口图案转移至所述第二硬掩模层；
22、执行第七刻蚀，选择性刻蚀所述第二介质层，以将所述第三开口图案转移至所述第二介质层；
23、执行第八刻蚀，选择性刻蚀所述阻挡层，以将所述第一开口图案和所述第二开口图案转移至所述阻挡层；
24、执行第九刻蚀，选择性刻蚀所述第二硬掩模层，以将所述第一开口图案和所述第二开口图案转移至所述第二硬掩模层；
25、执行第十刻蚀，刻蚀所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层，以将所述第三开口图案转移至所述第一介质层，将所述第一开口图案转移至所述第二介质层，并将所述第二开口图案转移至所述第三介质层，从而形成所述第一接触孔和所述第二接触孔。
26、在一些实施例中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第十刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相同。
27、在一些实施例中，在形成所述第一接触插塞和所述第二接触插塞之前，所述制作方法还包括：去除剩余的所述第二硬掩模层。
28、在一些实施例中，所述在所述第一硬掩模层中形成所述间隔层，包括：
29、形成共形覆盖所述第一硬掩模层的间隔材料层；
30、回刻蚀所述间隔材料层，保留于所述第一开口图案侧壁上的所述间隔材料层和保留于所述第二开口图案中的所述间隔材料层作为所述间隔层。
31、在一些实施例中，所述在所述第一接触孔和所述第二接触孔中分别形成所述第一接触插塞和所述第二接触插塞，包括：
32、形成接触材料层，所述接触材料层覆盖所述第二介质层和所述第三介质层，并填满所述第一接触孔和所述第二接触孔；
33、回刻蚀所述接触材料层，保留于所述第一接触孔中的所述接触材料层作为所述第一接触插塞，保留于所述第二接触孔中的所述接触材料层作为所述第二接触插塞。
34、在一些实施例中，所述第二接触插塞的截面形状为t字形。
35、在一些实施例中，所述第一介质层的材料包括：硅氧化物；
36、所述第二介质层和所述第三介质层的材料包括：硅氮化物；
37、所述阻挡层的材料包括：非晶硅；
38、所述第一硬掩模层的材料包括：硅氮氧化物；
39、所述第二硬掩模层的材料包括：非晶碳；
40、所述间隔层的材料包括：硅氧化物。
41、本公开实施例中，通过形成覆盖基底的阻挡层；在阻挡层上形成图案化的第一硬掩模层，第一硬掩模层包括第一开口图案和第二开口图案，第一开口图案的特征尺寸大于第二开口图案的特征尺寸；在第一硬掩模层中形成间隔层，间隔层覆盖第一开口图案侧壁并填满第二开口图案；以形成有间隔层的第一硬掩模层为刻蚀掩模，刻蚀第一叠层上的阻挡层，以在阻挡层中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第五刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相同。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第十刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相同。
6.根据权利要求2或4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一接触插塞和所述第二接触插塞之前，所述制作方法还包括：
7.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一硬掩模层中形成所述间隔层，包括：
8.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一接触孔和所述第二接触孔中分别形成所述第一接触
9.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二接触插塞的截面形状为T字形。
10.根据权利要求2或4所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括：硅氧化物；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第五刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相同。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的厚度基本相等；在所述第十刻蚀中，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的刻蚀速率基本相...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫新桥存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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