【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体器件结构尺寸的微缩，器件性能受到线宽尺寸的制约日益明显。例如，在半导体器件中，接触插塞（node contact）与着陆焊盘（landing pad）之间的接触面积较小，导致半导体器件出现接触不良、开路（open）等问题，严重影响半导体器件的电学性能和良率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例为解决或改善
技术介绍
中存在的技术问题而提供一种半导体结构及其制造方法。
2、本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；多条位线，位于所述衬底上，沿第一方向间隔排布，并沿第二方向延伸；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底表面，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；多条绝缘层，位于所述衬底上，并沿所述第一方向延伸；相邻的两条所述绝缘层和相邻的两条所述位线之间限定出暴露所述衬底的接触孔；多个接触插塞，分别位于多个所述接触孔内；多个着陆焊盘，分别位于多个所述接触插塞上；多条第一隔离层，位于所述位线表面和所述绝缘层表面上，所述第一隔离层沿所述第一方向延伸；多条第二隔离层，包括位于所述绝缘层表面上的第一部分和位于所述位线上的第二部分，所述第一部分沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第一部分连接沿所述第二方向上相邻的两个所述第二部分；所述多个着陆焊盘由所述第一隔离层和所述第二隔离层彼此隔离。
3、在一些实施例中，所述第二隔离层的底表面不高于所述位线的顶表面。
5、在一些实施例中，一条所述第二隔离层中，所述第i行的所述第二部分与所述第i＋1行的所述第二部分彼此朝向相反的方向偏移，所述第二隔离层在平行于所述衬底平面的截面呈弯折状。
6、在一些实施例中，在垂直所述第二方向的截面上，所述接触插塞的顶部的宽度大于所述接触插塞的底部的宽度。
7、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：电容结构，位于所述着陆焊盘上；所述接触插塞通过所述着陆焊盘连接所述电容结构。
8、本公开实施例还提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底；形成沿第一方向间隔排布，并沿第二方向延伸的多条位线；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底表面，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；形成沿第一方向延伸的多条绝缘层；相邻的两条所述绝缘层和相邻的两条所述位线之间限定出暴露所述衬底的接触孔；部分填充所述接触孔，形成多个接触插塞；填充所述接触孔的剩余空间，形成初始焊盘材料层，所述初始焊盘材料层还覆盖所述位线和所述绝缘层的表面；沿所述第一方向，刻蚀所述初始焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分，直至暴露所述位线表面和所述绝缘层表面，剩余所述初始焊盘材料层形成沿所述第一方向延伸的焊盘材料层；在相邻的所述焊盘材料层之间沉积第一绝缘材料，形成沿所述第一方向延伸的多个第一隔离层；对所述焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分进行多次刻蚀，直至暴露所述位线表面和所述绝缘层表面，剩余所述焊盘材料层形成多个着陆焊盘，多个所述着陆焊盘分别位于多个所述接触插塞上；在暴露的所述位线和所述绝缘层的表面上沉积第二绝缘材料，形成第二部分和第一部分；所述第一部分沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第一部分连接沿所述第二方向上相邻的所述第二部分；所述第一部分和所述第二部分构成第二隔离层。
9、在一些实施例中，形成沿所述第一方向延伸的所述焊盘材料层，包括：在所述初始焊盘材料层上形成图案化的第一掩膜层；所述图案化的第一掩膜层沿所述第二方向间隔排布，且沿所述第一方向延伸；通过所述图案化的第一掩膜层刻蚀所述初始焊盘材料层，形成所述焊盘材料层。
10、在一些实施例中，对所述焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分进行多次刻蚀，包括：在所述焊盘材料层上形成图案化的第二掩膜层；所述图案化的第二掩膜层沿所述第一方向间隔排布，且沿所述第二方向延伸；通过所述图案化的第二掩膜层对所述焊盘材料层进行第一次刻蚀，形成多个第一沟槽，所述第一沟槽暴露第奇数列的所述位线的部分顶表面；在所述第一沟槽内沉积第二绝缘材料，形成部分第二隔离层。
11、在一些实施例中，对所述焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分进行多次刻蚀，还包括：在所述焊盘材料层上形成图案化的第三掩膜层；所述图案化的第三掩膜层沿所述第一方向间隔排布，且沿所述第二方向延伸；并且，所述图案化的第三掩膜层覆盖所述第一沟槽；通过所述图案化的第三掩膜层对所述焊盘材料层进行第二次刻蚀，形成多个第二沟槽和多个所述着陆焊盘；所述第二沟槽位于相邻的所述第一沟槽之间，且所述第二沟槽暴露第偶数列的所述位线的部分顶表面；
12、在所述第二沟槽内再次沉积所述第二绝缘材料，形成所述第二隔离层；所述第二隔离层，将沿所述第一方向间隔排布的多个所述着陆焊盘隔离。
13、由此可见，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：多个着陆焊盘，分别位于多个接触插塞上；多条第一隔离层，位于位线表面和绝缘层表面上，第一隔离层沿第一方向延伸；多条第二隔离层，包括位于绝缘层表面上的第一部分和位于位线上的第二部分，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一部分连接沿第二方向上相邻的两个第二部分；多个着陆焊盘由第一隔离层和第二隔离层彼此隔离。
14、本公开实施例中，多个着陆焊盘呈六方排布，其在第二方向上由第一隔离层隔离，其在第一方向上由第二隔离层隔离。具体的，本实施例，所述第二隔离层包括第一部分和连接第一部分的第二部分，第一部分沿第一方向沿伸，第二部分沿第二方向延伸，第一隔离层和第二隔离层将六方排布的多个接触焊盘充分彼此隔离而并不占用位线周围的其他空间，不损伤接触孔内金属的体积，进而能够增大着陆焊盘的设置空间，增大着陆焊盘与接触插塞的接触面积，改善半导体结构的接触不良等问题，提高半导体结构的电学性能和良率。
15、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的底表面不高于所述位线的顶表面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：电容结构，位于所述着陆焊盘上；
7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成沿所述第一方向延伸的所述焊盘材料层，包括：在所述初始焊盘材料层上形成图案化的第一掩膜层；所述图案化的第一掩膜层沿所述第二方向间隔排布，且沿所述第一方向延伸；
9.根据权利要求7或8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分进行多次刻蚀，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述焊盘材料层未覆盖所述接触插塞的部分进行
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的底表面不高于所述位线的顶表面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：电容结构，位于所述着陆焊盘上；
7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫新桥存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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