【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种电容器的制备方法。
技术介绍
1、存储器通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线结构相连，晶体管的源极与电容器相连，晶体管的沟道区打开，能通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。
2、随着存储器的集成度的提高，存储器的尺寸越来越小，但存储器中的电容器的数量越来越多，为了对电容器进行支撑，避免电容器的倒塌风险，会制备用于支撑电容器的支撑层。
3、然而，采用目前的制备工艺制备得到的电容器的性能欠佳。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种电容器的制备方法，至少有利于改善制备得到的电容器的性能。
2、本公开实施例提供一种电容器的制备方法，包括：提供包括第一区域和多个第二区域的衬底，所述第一区域位于相邻的第二区域之间；在所述衬底上依次形成堆叠的底支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层以及顶支撑层，其中，所述第二区域上的中间支撑层包括堆叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料与所述第一区域上的中间支撑层的材料相同，且厚度小于所述第一区域上的中间支撑层的厚度，所述第二子层和所述第一子层的刻蚀选择比大于1；形成贯穿所述底支撑层、所述第一牺牲层、所述中间支撑层、所述第二牺牲层以及所述顶支撑层的多个电容孔；分别在所述多个电容孔内形成下电极；分别在所述多个第二区域上的顶支撑层中形成贯穿所述顶支撑层的开口，且每一所述开口至少暴露相邻的三个所述下电极；沿所述开口去除所述第二牺
3、在一些实施例中，第一子层形成于所述第二子层顶面，所述第二子层与所述第一牺牲层接触。
4、在一些实施例中，形成所述中间支撑层的方法包括：在所述第一区域和所述第二区域上顶面形成初始中间支撑层；刻蚀所述第二区域上的初始中间支撑层，以形成多个间隔的第一通孔，所述第一通孔露出部分所述第一牺牲层顶面；形成填满所述第一通孔的第二子层；在所述第二子层顶面以及剩余部分所述初始中间支撑层顶面形成第一材料层，位于所述第二子层顶面的第一材料层作为所述第一子层，剩余部分所述第一材料层与剩余部分所述初始中间支撑层构成所述第一区域上的中间支撑层。
5、在一些实施例中，第二子层的材料与所述第一牺牲层的材料相同。
6、在一些实施例中，第二子层位于所述第一子层顶面，与所述第二牺牲层接触，且所述第二子层的材料与所述第二牺牲层的材料相同。
7、在一些实施例中，形成所述中间支撑层的方法包括：在所述第一区域和所述第二区域上形成初始中间支撑层；刻蚀所述第二区域上的初始中间支撑层，以形成多个间隔的第一通孔，所述第一通孔底部露出部分所述第一牺牲层顶面；形成填充于部分所述第一通孔的第一子层，所述第一子层与所述第一牺牲层接触；形成填满剩余所述第一通孔的所述第二子层。
8、在一些实施例中，第一区域上的中间支撑层包括堆叠的第三子层以及第四子层，所述第一子层的材料与所述第四子层的材料相同，所述第四子层与所述第三子层的刻蚀选择比大于1。
9、在一些实施例中，中间支撑层还包括连续位于所述第一区域以及所述第二区域上的第五子层，所述第二子层与所述第五子层的刻蚀选择比大于1，所述第一子层、所述第二子层、所述第三子层以及所述第四子层均位于所述第五子层顶面，且所述第五子层与所述第一牺牲层接触。
10、在一些实施例中，形成所述中间支撑层的方法包括：在所述第一区域和所述第二区域上形成依次堆叠的第五子层以及第二材料层；刻蚀所述第二区域上的第二材料层，以形成多个间隔的第二通孔，所述第二通孔露出部分所述第五子层顶面，位于所述第一区域上的所述第二材料层构成所述第三子层；形成填满所述第二通孔的第二子层；在所述第二子层顶面以及所述第三子层顶面形成第三材料层，位于所述第二子层顶面的第三材料层作为所述第一子层，位于第三子层顶面的第三材料层作为所述第四子层。
11、在一些实施例中，第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，以及大于所述第五子层的厚度。
12、本公开实施例提供的电容器的制备方法的技术方案中，开口与第二区域正对，如此，能够沿开口仅去除第二区域上的中间支撑层以及第一牺牲层，露出下电极的部分侧壁，剩余的第一区域上的中间支撑层支撑下电极。第二区域上的中间支撑层包括堆叠的第一子层和第二子层，第二子层和第一子层的刻蚀选择比大于1，即相较于第一子层而言，第二子层更加容易刻蚀。而第一子层的材料与第一区域上的中间支撑层的材料相同，且厚度更小，使得第二区域上的中间支撑层相较于第一区域上的中间支撑层也更容易刻蚀，有利于减小对第二区域上的中间支撑层的刻蚀时间，避免刻蚀工艺对第二区域上的中间支撑层刻蚀过多的时间而导致对露出的下电极侧壁造成工艺损伤的问题，改善形成的电容器的性能。
13、第一子层的材料与第一区域上的中间支撑层的材料相同，且相较于第二子层更难刻蚀，使得第一子层具有较好的支撑能力。在去除顶支撑层、第二牺牲层以及中间支撑层过程中，第一子层能够对第一牺牲层以及顶支撑层起到较好的支撑作用，避免电容孔发生坍塌。第一子层的厚度小于第一区域上的中间支撑层的厚度，能够避免第一子层的厚度过大，反而导致第二区域上的中间支撑层难以刻蚀的问题。也就是说，在形成中间支撑层的步骤中，在第二区域上形成第一子层和第二子层，能够兼顾第二区域上的中间支撑层在刻蚀过程中的支撑能力较强以及刻蚀速率较快这两个性能，避免了中间支撑层太薄，导致电容柱容易出现弯曲倒塌等现象，又避免了中间支撑层太厚，对第二次打开中间支撑层时刻蚀不到底的情况，或者过长的蚀刻而导致对电极造成损伤。
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1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一子层形成于所述第二子层顶面，所述第二子层与所述第一牺牲层接触。
3.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述中间支撑层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的材料与所述第一牺牲层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层位于所述第一子层顶面，与所述第二牺牲层接触，且所述第二子层的材料与所述第二牺牲层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述中间支撑层的方法包括：
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一区域上的中间支撑层包括堆叠的第三子层以及第四子层，所述第一子层的材料与所述第四子层的材料相同，所述第四子层与所述第三子层的刻蚀选择比大于1。
8.根据权利要求7所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述中间支撑层还包括连续位于所述第
9.根据权利要求8所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述中间支撑层的方法包括：
10.根据权利要求8所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度，以及大于所述第五子层的厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第一子层形成于所述第二子层顶面，所述第二子层与所述第一牺牲层接触。
3.根据权利要求2所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述中间支撑层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层的材料与所述第一牺牲层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二子层位于所述第一子层顶面，与所述第二牺牲层接触，且所述第二子层的材料与所述第二牺牲层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的电容器的制备方法，其特征在于，形成所述中间支撑层的方法包括：
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫新桥存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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