【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体地说，本专利技术涉及一种micro oled的制造方法及micro oled显示装置。
技术介绍
1、硅基micro oled显示器件生产制作过程中，主要包括前端的阳极工艺，pdl工艺，oled+tfe封装工艺，彩膜工艺，pad open工艺以及后段模组段的贴片，切割，裂片，bonding工艺。
2、pad open工艺通常采用干法刻蚀的方式，去除pad区域覆盖的膜层，然而生产过程中，工艺膜层的层层叠加，导致干法刻蚀去除pad表面覆盖膜层时，需要金属刻蚀和介子刻蚀切换使用，且膜层厚度相对较厚，导致工艺时间长，甚至需要多次的光刻工艺配合干法刻蚀实现pad区域所覆盖膜层的去除。
3、因此，现有的pad open工艺时间长，干法刻蚀金属介子膜层交替，多次光刻配合：此工艺在生产过程中，前段工艺pad open时，pad区域所覆盖膜层厚，且包含金属和介子膜层的交替叠加，干法刻蚀过程中，需要金属刻蚀和介子刻蚀工艺互相切换使用，且需2次光刻或多次光刻配合，导致刻蚀设备产能低。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种micro oled的制造方法，目的是缩短工艺时间，提升产能。
2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：micro oled的制造方法，包括步骤：
3、进行阳极结构的制作；
4、进行介质层的制作；
5、进行有机发光层和封装层
6、进行第一平坦层的制作；
7、进行彩膜rgb的制作；
8、进行第二平坦层的制作；
9、在第二平坦层上贴合玻璃盖板；
10、露出pad；
11、进行切割；
12、进行裂片；以及
13、进行电路板的键合。
14、所述露出pad包括：
15、将基板从卡匣传送至工件台上；
16、通过基板上的mark坐标对基板进行定位并利用激光将pad区上的膜层去除；
17、将基板传送至清洗单元进行表面清洁；以及
18、再将基板传回至卡匣中。
19、所述进行阳极结构的制作时，使用pvd工艺沉积金属膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
20、所述进行介质层的制作时，使用cvd设备沉积介质膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现pdl膜层。
21、所述进行有机发光层和封装层的制作时，首先蒸镀有机发光层，然后在有机发光层上制备封装层。
22、所述进行第一平坦层的制作时，通过使用涂胶显影机和曝光机进行第一平坦层的制作。
23、所述进行彩膜rgb的制作时，通过使用涂胶显影机和曝光机进行彩膜rgb的制作。
24、所述在第二平坦层上贴合玻璃盖板时，通过使用贴合机台将玻璃盖板贴合在第二平坦层上。
25、本专利技术还提供了一种micro oled显示装置，所述micro oled使用上述的microoled的制造方法制造得到。
26、本专利技术的micro oled的制造方法，贴片后再进行激光开pad，通过采用新的工艺流程和使用激光开pad的方式，使用激光开pad取代干法刻蚀开pad工艺，将pad金属上面的其它膜层全部去除，缩短工艺时间，提升产能；采用新的工艺流程，改善激光开pad工艺过程中的产品污染。
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1.Micro OLED的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述露出Pad包括：
3.根据权利要求1所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述进行阳极结构的制作时，使用PVD工艺沉积金属膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
4.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述进行介质层的制作时，使用CVD设备沉积介质膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现PDL膜层。
5.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述进行有机发光层和封装层的制作时，首先蒸镀有机发光层，然后在有机发光层上制备封装层。
6.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述进行第一平坦层的制作时，通过使用涂胶显影机和曝光机进行第一平坦层的制作。
7.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造
8.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法，其特征在于，所述在第二平坦层上贴合玻璃盖板时，通过使用贴合机台将玻璃盖板贴合在第二平坦层上。
9.Micro OLED显示装置，其特征在于，所述Micro OLED使用权利要求1至8任一所述的Micro OLED的制造方法制造得到。
...【技术特征摘要】
1.micro oled的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的micro oled的制造方法，其特征在于，所述露出pad包括：
3.根据权利要求1所述的micro oled的制造方法，其特征在于，所述进行阳极结构的制作时，使用pvd工艺沉积金属膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
4.根据权利要求1至3任一所述的micro oled的制造方法，其特征在于，所述进行介质层的制作时，使用cvd设备沉积介质膜层，然后通过光刻工艺实现图像转移，再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现pdl膜层。
5.根据权利要求1至3任一所述的micro oled的制造方法，其特征在于，所述进行有机发光层和封装层的制作时，...
【专利技术属性】
技术研发人员：由振琪，叶成，刘晓佳，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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