【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多通道碳纳米管传感器，包括：基片、金属下电极、碳纳米管和金属上电极，其特征在于：基片位于整体结构的最底端，金属下电极位于基片之上，若干根碳纳米管呈垂直分布形成阵列且两端分别与金属下电极和金属上电极相连接形成碳纳米管导电通道，金属下电极、碳纳米管导电通道和金属上电极构成若干个串联单元结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁桂甫，陆闻静，王艳，邓敏，周镇威，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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