一种电子束曝光剂量校正方法技术

本发明专利技术提供一种电子束曝光剂量校正方法，根据版图图形中不同占空比的图形区域进行图形分区，各个区域分别采用邻近效应校正计算得到第一剂量校正系数，并根据各个区域的占空比得到第二剂量校正系数，在第一剂量校正系数的基础上叠加第二剂量校正系数，可实现全局图形的高线宽精度及其均匀性；并且，采用多重曝光的方式提升图形曝光的场拼接精度，解决绝缘衬底上大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等问题，从而拓展电子束曝光技术在超导量子器件、超导单光子探测器、光量子芯片、长波导器件、高频表面波器件等微纳器件加工中的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种电子束曝光剂量校正方法。

技术介绍

1、电子束曝光因其极限分辨率高、精度高、无需掩模版而成为研究和小批量制造的最佳选择，是当前微纳加工领域获得可控纳米级图形的重要手段，被广泛应用于新材料、前沿研究、仿生、光子、生物及微电子等研究领域。

2、当前，许多器件要求在绝缘衬底上进行大面积不同尺寸、不同密度微纳图形结构加工， 然而，绝缘衬底上进行大面积电子束曝光时面临图形位置漂移、线宽精度和均匀性控制难、拼接误差大等一系列问题，尤其是绝缘衬底上进行大面积电子束曝光时，采用普通的邻近效应校正主要是通过点扩散模型来计算不同区域内的剂量调制的比例，对于均匀结构其计算结果具有较好的指导作用，但是大面积曝光涉及不同尺寸、不同密度、不同占空比图形，采用单一的点扩散模型的邻近效应校正很难获得可适用全局图形所需要的剂量调制的比例关系，经常出现占空比小或密度低的图形区域的曝光剂量调制过量，而占空比高或密度高的图形区域又会出现剂量调制过小的情况，从而导致占空比低的区域曝光过度、占空比高的区域曝光不足的现象，可见大面积曝光时很难控制全局图形的线宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子束曝光剂量校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：将所述版图图形导入Beamer软件、HNU-EBL软件或CAPROX软件进行邻近效应校正计算，获取所述第一剂量校正系数。

3.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：采用多重曝光的方式对所述i个区域进行电子束曝光的过程中，相邻重次的曝光区域部分交叠。

4.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：确定所述曝光剂量后，将所述版图图形转换成电子束曝光设备所对应的版图格式，然后于所述电子束曝光设备中进行曝光。<...

【技术特征摘要】

1.一种电子束曝光剂量校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：将所述版图图形导入beamer软件、hnu-ebl软件或caprox软件进行邻近效应校正计算，获取所述第一剂量校正系数。

3.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：采用多重曝光的方式对所述i个区域进行电子束曝光的过程中，相邻重次的曝光区域部分交叠。

4.根据权利要求1所述的电子束曝光剂量校正方法，其特征在于：确定所述曝光剂量后，将所述版图图形转换成电子束曝光设备所对应的版图格式，然后于所述电子束曝光设备中进行曝光。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓宇，彭炜，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：