【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及半导体计算光刻，特别涉及一种解决sraf额外刻出的方法、系统及计算机介质。
技术介绍
0、
技术介绍
1、随着大规模集成电路制造中设计版图的特征尺寸不断缩小，亚分辨率散射条(sub-resolution assistant feature，sraf)发挥着越来越重要的作用。在设计版图中的稀疏图形或者孤立图形周围添加sraf，在曝光时对光线只起到了散射作用，通过改变光刻过程中透射光场的幅度分布，从而使设计图形的曝光光强得到了加强，进而增大工艺窗口，且由于sraf尺寸小于光刻机的分辨率，理论上来说不能在硅片上成像，在经过最终的光刻工艺后并不会转移到硅片表面，即不会改变原有的设计图形。
2、但在设计版图中引入sraf会导致曝光过程中设计版图原本的光学环境发生变化，可能会在某些位置产生图形额外刻出的现象。
技术实现思路
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技术实现思路
1、为解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种解决sraf额外刻出的方法、系统及计算机介质。
2、本专利技术解决技术问题的方案是提供一种解决sraf额外刻出的方法，包括以下步骤：步骤s1，获取经过opc(optical proximity correction，光学临近修正)修正后的掩模版图和加入的sraf的信息，并通过仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过光刻规则检测得到所述空间像和所述曝光轮廓结果中的缺陷信息；步骤s2，基于所述缺陷信息，分析所述缺陷与所述sraf的位置关系，确定
3、优选地，所述光刻规则检测为检测所述空间像的强度局部极大值或局部极小值。
4、优选地，所述缺陷对应位置的所述空间像的强度局部极大值大于设定的最大光强阈值或所述空间像的强度局部极小值小于设定的最小光强阈值。
5、优选地，所述sraf的图形属性包括所述sraf的长度、宽度以及所述sraf之间的间隔或者所述sraf与所述掩模版图的间隔中的至少一种。
6、优选地，步骤s2还包括步骤s21：以所述缺陷的位置为中心向周围搜索预设范围区域内是否存在所述sraf；如果所述缺陷周围预设范围内不存在所述sraf，中断后续步骤，人工检查是否为其它类型的缺陷；如果所述缺陷周围预设范围内存在所述sraf，自动继续后续步骤。
7、优选地，所述优化操作包括对所述目标sraf进行收缩和/或位移和/或切断。
8、优选地，步骤s3之后还包括以下步骤：步骤s4，将已经完成所述优化操作的所述目标sraf联同掩模重新仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过所述光刻规则检测再次检测是否存在缺陷；如果识别到存在缺陷，则转入步骤s2，之后重复步骤s2至步骤s4；如果未识别到存在缺陷，则证明加入的所述sraf已经不影响经过opc修正的掩模版图。
9、优选地，步骤s4中的在重复步骤s2至步骤s4之前还设定了最大迭代次数。
10、本专利技术为解决上述技术问题还提供一种解决sraf额外刻出的系统，运用如上述的解决sraf额外刻出的方法进行解决sraf额外刻出带来的缺陷，包括识别模块、运算模块和操作模块，所述识别模块用于获取经过opc修正后的掩模版图和加入的sraf的信息用以进行后续操作；所述运算模块用于模拟仿真空间像曝光轮廓结果并识别所述缺陷和所述目标sraf，然后反馈给所述操作模块，最后判断所述操作模块进行所述优化操作后是否继续存在缺陷并自动决定后续操作；所述操作模块用以对所述目标sraf进行所述优化操作，并将进行所述优化操作后的结果传递至运算模块。
11、本专利技术为解决上述技术问题还提供一种计算机介质，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如上述的解决sraf额外刻出的方法。
12、与现有技术相比，本专利技术提供的一种解决sraf额外刻出的方法、系统及计算机介质具有以下优点：
13、1、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法，包括以下步骤：步骤s1，获取经过opc修正后的掩模版图和加入的sraf的信息，并通过仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过光刻规则检测得到空间像和曝光轮廓结果中的缺陷；步骤s2，基于缺陷信息，分析缺陷与sraf的位置关系，确定目标sraf，获取目标sraf的图形属性并标记目标sraf；步骤s3，对目标sraf进行优化操作；自动化引入光刻规则检测来确定是否存在sraf额外刻出的缺陷，在光刻规则检测这一过程中也预测了可能存在的图形额外刻出的风险；接下来通过分析步骤来确定缺陷对应的目标sraf，通过对目标sraf的精确定位并将其进行优化操作，以此来解决sraf额外刻出的缺陷；全部操作自动化完成，减少opc脚本参数调整的时间，简化了用户操作，满足在生产环境下的需求。
14、2、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法的光刻规则检测为检测空间像的强度局部极大值或局部极小值；具体检测极大值还是极小值根据光刻模型有关，如果是暗场模型，需要检查空间像强度局部极大值，此时需要检查极值过大的情况；如果是亮场模型，则需要检查空间像强度极小值，此时需要检查极值过小的情况；检测空间像强度局部极值能较为准确地检测出掩模版图上可能存在的缺陷。
15、3、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法的sraf的图形属性包括sraf的长度、宽度以及sraf之间的间隔或者sraf与掩模版图的间隔中至少一种；获取可能是目标sraf的图形属性，此举是为了后续操作符合要求，比方说对sraf进行收缩，但不能无限制的进行收缩，每一次收缩都需要符合掩模制造规则(mrc)。
16、4、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法的步骤s2还包括步骤s21：以缺陷的位置为中心向周围搜索一定范围区域内是否存在sraf；如果缺陷周围一定范围内不存在sraf，则证明缺陷不是由加入的sraf引发的，中断后续步骤，人工检查是否为其它类型的缺陷；如果缺陷周围一定范围内存在sraf，则认为缺陷是由加入的sraf引起的，并自动继续后续步骤；在检测到缺陷后加入一个搜索步骤，严格保证缺陷是由sraf引起的后才进行后续步骤，提高了光刻工作的效率。
17、5、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法的优化操作包括对目标sraf进行收缩和/或位移和/或切断；根据检测出的缺陷的具体情况进行最适应的优化操作。
18、6、本专利技术的解决sraf额外刻出的方法的步骤s3之后还包括以下步骤：步骤s4、将已经完成优化操作的目标sraf联同掩模重新仿真模拟生成空间像和曝光轮廓结果，通过光刻规则检测再次检测是否存在缺陷；如果识别到存在缺陷，则转入步骤s2，之后重复步骤s2至步骤s4；如果未识别到存在缺陷，则证明加入的sraf已经不影响经过opc修正的掩模版图；设定一个迭代过程，保证最大限度消除由sraf额外刻出带来的缺陷问题，并在每次迭代过程中都在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于：所述光刻规则检测为检测所述空间像的强度局部极大值或局部极小值。
3.如权利要求2所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于：所述缺陷对应位置的所述空间像的强度局部极大值大于设定的最大光强阈值或所述空间像的强度局部极小值小于设定的最小光强阈值。
4.如权利要求1所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于：所述S R A F的图形属性包括所述S R A F的长度、宽度以及所述S R A F之间的间隔或者所述S R A F与所述掩模版图的间隔中的至少一种。
5.如权利要求1所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于步骤S2还包括步骤S21：
6.如权利要求1所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于：所述优化操作包括对所述目标S R A F进行收缩和/或位移和/或切断。
7.如权利要求1所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，
8.如权利要求7所述的一种解决S R A F额外刻出的方法，其特征在于步骤S 4中的在重复步骤S2至步骤S 4之前还设定了最大迭代次数。
9.一种解决S RA F额外刻出的系统，运用如权利要求1-8中任一项所述的解决S R A F额外刻出的方法进行解决S RA F额外刻出带来的缺陷，其特征在于：包括识别模块、运算模块和操作模块，所述识别模块用于获取经过O P C修正后的掩模版图和加入的S R A F的信息用以进行后续操作；所述运算模块用于模拟仿真空间像曝光轮廓结果并识别所述缺陷和所述目标S R A F，然后反馈给所述操作模块，最后判断所述操作模块进行所述优化操作后是否继续存在缺陷并自动决定后续操作；所述操作模块用以对所述目标S R A F进行所述优化操作，并将进行所述优化操作后的结果传递至运算模块。
10.一种计算机介质，其特征在于：包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如权利要求1-8中任一项所述的解决S RA F额外刻出的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于：所述光刻规则检测为检测所述空间像的强度局部极大值或局部极小值。
3.如权利要求2所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于：所述缺陷对应位置的所述空间像的强度局部极大值大于设定的最大光强阈值或所述空间像的强度局部极小值小于设定的最小光强阈值。
4.如权利要求1所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于：所述s r a f的图形属性包括所述s r a f的长度、宽度以及所述s r a f之间的间隔或者所述s r a f与所述掩模版图的间隔中的至少一种。
5.如权利要求1所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于步骤s2还包括步骤s21：
6.如权利要求1所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，其特征在于：所述优化操作包括对所述目标s r a f进行收缩和/或位移和/或切断。
7.如权利要求1所述的一种解决s r a f额外刻出的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：巫志城，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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