【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于微光刻光掩模的缺陷的粒子束诱导处理的方法和装置。
技术介绍
1、微光刻用于产生微结构组成元件，诸如集成电路。使用具有照明系统以及投射系统的光刻装置来执行微光刻工艺。在这种情况下，通过照明系统照明的光掩模(掩模版)的图像通过投射系统投射到衬底上，例如硅晶片，该衬底涂覆有光敏层(光致抗蚀剂)并布置在该投射系统的图像平面中，以便将掩模结构转移到衬底的光敏涂层上。
2、为了获得较小的结构尺寸并因此增加微结构组件的集成密度，越来越多地使用具有非常短波长的光，例如称为深紫外(duv)或是极紫外(euv)。duv的波长例如为193nm，euv的波长例如为13.5nm。
3、在这种情况下，微光刻光掩模具有范围从几纳米至几百纳米的结构尺寸。这种光掩模的生产非常复杂，并且因此成本很高。特别地，这种情况是因为光掩模必须是无缺陷的，否则不可能确保通过光掩模在硅晶片上产生的结构表现出所期望的功能。特别地，光掩模上的结构的质量对于通过所述光掩模在晶片上生产的集成电路的质量是决定性的。
4、正是由于此原因，检...
【技术保护点】
1.一种用于微光刻光掩模(100)的缺陷(D、D’)的粒子束诱导处理的方法，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中在步骤d)中，仅在所述第一个子修复形状(306)的所述mi像素(304)的每一个处提供所述激活粒子束(202)与所述工艺气体。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中在步骤c)中基于阈值(W)将所述修复形状(302、302’)细分成所述k个子修复形状(306)。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述阈值(W)是经验确定的数值，其是在步骤a)之前确定。
5.如权利要求3或4所述的方法，其中所述粒子束诱导...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于微光刻光掩模(100)的缺陷(d、d’)的粒子束诱导处理的方法，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中在步骤d)中，仅在所述第一个子修复形状(306)的所述mi像素(304)的每一个处提供所述激活粒子束(202)与所述工艺气体。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中在步骤c)中基于阈值(w)将所述修复形状(302、302’)细分成所述k个子修复形状(306)。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述阈值(w)是经验确定的数值，其是在步骤a)之前确定。
5.如权利要求3或4所述的方法，其中所述粒子束诱导处理包含蚀刻所述缺陷(d、d’)或在所述缺陷(d、d’)上沉积材料，并且所述阈值(w)是基于修复形状(302，302’)的n个像素(304)从蚀刻速率(r)或沉积速率的经验值确定的。
6.如权利要求3至5任一项所述的方法，其中所述阈值(w)是经验确定的数值，所述数值是基于从包括以下各项的组中选择的参数来确定的：所述修复形状(302、302’)的所述n个像素(304)、所述像素(304)的尺寸(a)、所述粒子束(202)的入射面积(308)、所述激活粒子束(202)在相应像素(304)上的停留时间、提供所述工艺气体的气体量流率、所述工艺气体的成分以及所述工艺气体的各种气体成分的气体量流率比。
7.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中借助于voronoi方法将所述修复形状(302、302’)细分成多个子修复形状(306)。
8.如权利要求7所述的方法，其中在步骤c)中，所述子修复形状(306)是确定为从voronoi中心(310)开始的voronoi区域，每个子修复形状(306)包含对应于相关voronoi中心(310)的所述修复形状(302、302’)的所述像素(304)以及被布置成比所述修复形状(302、302’)的任何其他voronoi中心(310)更靠近所述相关voronoi中心(310)配置的所述修复形状(302、302’)的所有像素(304)。
9.如权利要求1至8任一项所述的方法，其中所述修复形状(402)被细分成所述多个子修复形状(406)，使得相应子修复形状(406)的m"i个像素(410、412)在扫描方向(x)上彼此具有相同的距离。
10.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·伦辛，M·布伦德尔，M·布达赫，M·G·罗伊斯，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。