【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制造，尤其是涉及一种电击穿系统、晶圆静电释放总成及控制方法。
技术介绍
1、
2、在晶圆的制造过程中，静电一直是一个需要重视和控制的重要问题，静电可能会导致晶圆器件的损坏，增加不良率，降低芯片性能和可靠性等影响。
3、晶圆表面具有一层绝缘层，以用于保护和隔离电子器件的材料层。为了释放晶圆静电，需要刺破晶圆表面的绝缘层。目前，较多采用机械击穿方法，即通过如金刚石等硬度高的材料制成的可弹出的探针实现刺破。
4、然而，采集机械击穿的方法对机械结构件的装配精度要求较高，加工难度大，可靠性及稳定性偏差。
技术实现思路
1、本申请提供了一种电击穿系统、晶圆静电释放总成及控制方法，以解决现有机械击穿方法对精度要求高、可靠性及稳定性差的技术问题。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种电击穿系统，包括控制模块、高压击穿电路及信号采集电路；控制模块连接于高压击穿电路及信号采集电路，信号采集电路连接于高压击穿电路；控制模块设置为用于控制高压击穿电路电击穿晶圆表面的绝缘层，并控制信号采集电路获取电信号以确定晶圆表面绝缘层的击穿状态。
3、在本申请可选的方案中，高压击穿电路包括第一电击穿支路、第二电击穿支路及第一电源模块；第一电击穿支路的输入端与第二电击穿支路的输入端并联连接于第一电源模块；第一电击穿支路的输出端与第二电击穿支路的输出端间隔布置并相接于晶圆表面。
4、在本申请可选的方案中，第一电击穿支路设有依次连接的第一
5、在本申请可选的方案中，第一电击穿支路还设有第三继电器，第一继电器经由第三继电器连接于第一探针；第二电击穿支路还设有第四继电器，第二继电器经由第四继电器连接于第二探针；第三继电器与第四继电器均通过控制模块控制切换开闭状态。
6、在本申请可选的方案中，信号采集电路包括第一信号采集支路、第二信号采集支路及模数转换模块；第一信号采集支路的输入端连接于第一电击穿支路，第二信号采集支路的输入端连接于第二电击穿支路；第一信号采集支路的输出端及第二信号采集支路的输出端并联连接于模数转换模块，模数转换模块连接于控制模块。
7、在本申请可选的方案中，控制模块包括处理子模块与电气控制电路子模块；电气控制电路子模块连接于处理子模块，并设置为根据处理子模块发出的电信号指令控制高压击穿电路中的各继电器与信号采集电路中的各继电器。
8、根据本申请的另一个方面，提供了一种晶圆静电释放总成，包括高压加载电路及上述的电击穿系统；高压加载电路连接于高压击穿电路，高压加载电路用于给晶圆加载电压。
9、在本申请可选的方案中，高压加载电路包括第一高压加载支路、第二高压加载支路及第二电源模块；第一高压加载支路的输入端与第二高压加载支路的输入端并联连接于第二电源模块，第一高压加载支路的输出端与第二高压加载支路的输出端连接于高压击穿电路。
10、根据本申请的又一个方面，提供了一种晶圆静电释放控制方法，包括：确定击穿电压并获取启动击穿指令；基于启动击穿指令，控制开启高压击穿电路，以通过高压击穿电路向晶圆表面的绝缘层发送击穿电压；在确认击穿电压发送完成后，控制关闭高压击穿电路以及开启信号采集电路，以获取击穿电信号；基于击穿电信号与预设阈值的比较结果，确定晶圆表面绝缘层的击穿状态。
11、在本申请可选的方案中，还包括：在确定晶圆表面的绝缘层被击穿的情况下，控制关闭高压击穿电路和信号采集电路以及开启高压加载电路，以通过高压加载电路为晶圆加载电压；在确定晶圆表面的绝缘层未被击穿的情况下，重新确定击穿电压并获取启动击穿指令、直至晶圆表面的绝缘层被击穿。
12、综上所述，本申请提供的电击穿系统、晶圆静电释放总成及控制方法至少具有以下
13、有益效果：
14、该电击穿系统可用于晶圆静电释放并包括控制模块、高压击穿电路及信号采集电路。控制模块用于控制开启或关闭高压击穿电路及信号采集电路。高压击穿电路与晶圆相连并可接入高压电源，控制模块控制开启高压击穿电路，以电击晶圆表面的绝缘层，直至击穿晶圆表面的绝缘层。
15、在晶圆表面的绝缘层被电击穿的情况下，控制模块可控制关闭高压击穿电路，并开启信号采集电路，控制模块可通过信号采集电路获取到的电信号确定晶圆表面是否被击穿。应理解地，晶圆表面的绝缘层处于击穿状态下，可以释放静电。
16、相较于现有采用机械机构击穿方式，不须考虑机械结构件加工及装配精度要求，不在受机械结构件的寿命限制，可高频次实现击穿，可适配绝缘层厚度范围更广，通用性更好。
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1.一种电击穿系统，其特征在于，包括控制模块、高压击穿电路及信号采集电路；
2.根据权利要求1所述的电击穿系统，其特征在于，所述高压击穿电路包括第一电击穿支路、第二电击穿支路及第一电源模块；
3.根据权利要求2所述的电击穿系统，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电击穿系统，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的电击穿系统，其特征在于，所述信号采集电路包括第一信号采集支路、第二信号采集支路及模数转换模块；
6.根据权利要求1所述的电击穿系统，其特征在于，所述控制模块包括处理子模块与电气控制电路子模块；
7.一种晶圆静电释放总成，其特征在于，包括高压加载电路及根据权利要求1至6中任一项所述的电击穿系统；
8.根据权利要求7所述的晶圆静电释放总成，其特征在于，所述高压加载电路包括第一高压加载支路、第二高压加载支路及第二电源模块；
9.一种晶圆静电释放控制方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的晶圆静电释放控制方法，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种电击穿系统，其特征在于，包括控制模块、高压击穿电路及信号采集电路；
2.根据权利要求1所述的电击穿系统，其特征在于，所述高压击穿电路包括第一电击穿支路、第二电击穿支路及第一电源模块；
3.根据权利要求2所述的电击穿系统，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电击穿系统，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的电击穿系统，其特征在于，所述信号采集电路包括第一信号采集支路、第二信号采集支路及模数转换模块；
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志龙，孙炳晖，何跃，张庆阳，郝琪，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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