【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体设备的制造方法，并且更具体地，涉及一种包括存储器芯片的半导体设备的制造方法。
技术介绍
1、半导体封装可以包括多个存储器芯片。存储器芯片可以被配置为存储数据或者输出或擦除所存储的数据。根据其中存储有数据的方法或结构，存储器芯片可以被分类为易失性存储器或非易失性存储器。例如，易失性存储器可以包括动态随机存取存储器(dram)、同步dram(sdram)、双倍数据速率sdram(ddr-sdram)、低功耗ddr-sdram(lpddr-sdram)等。非易失性存储器可以包括nand快闪存储器、nor快闪存储器、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(sst-ram)等。
2、可以使用单个晶片来制造多个存储器芯片，并且可以通过封装过程将经切割的存储器芯片制造为半导体设备。
3、在制造半导体设备的一些过程中，半导体设备可能被暴露于高温。高温可以是高于室温的温度。当半导体设备被暴露于高温时，散布在半导体设备中包括的存储器芯片中的各种类型的杂质的移动可能被激活，因此，半导体设备的可靠性可能被劣化。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体设备的方法，该方法可以包括：制造包括存储器单元和虚设单元的存储器芯片；以及在执行存储器芯片的封装过程之前对虚设单元进行编程。
2、根据本公开的另一个实施例
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1.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器芯片的所述制造包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述第一选择晶体管和所述存储器单元之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述第二选择晶体管和所述存储器单元之间。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述存储器单元之间。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极线包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述单元塞的所述形成中，在所述单元塞中进一步形成附加虚设单元。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述存储器芯片被完全地制造之后执行所述虚设单元的所述编程。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述虚设单元的所述编程中，所述虚设单元被编程为经编程的存储器单元针对编程状态中的任一种状态而具有的阈值电压之中的最高阈值电压。
10.根据权利要求1所述的方法，其中以将最高编程电压施加到被连接到所述虚设单元的虚设线的方
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述编程电压被施加到所述虚设线之后，用于确定所述虚设单元的阈值电压的验证操作被省略。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器芯片的所述制造包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述保护层由液体密封剂形成。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述液体密封剂由作为热固性树脂的环氧树脂形成。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述液体密封剂通过在所述封装过程中执行的高温过程而被固化。
16.根据权利要求1所述的方法，还包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中以与所述虚设单元的所述编程相同的方式执行所述附加编程操作。
18.根据权利要求16所述的方法，其中将所述半导体设备紧固到用于存储器系统的所述产品包括：
19.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中以增量阶跃脉冲编程ISPP方式执行所述编程操作。
21.根据权利要求20所述的方法，其中通过将与所述存储器单元具有的编程状态之中的最高编程状态相对应的电平设置为目标电平，来执行在所述编程操作中执行的验证操作。
22.根据权利要求19所述的方法，其中以将编程电压施加到被连接到所述虚设单元的虚设线至少一次的方式执行所述编程操作。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述编程电压被设置为在所述编程操作中设置的编程电压之中具有最高电平的电压。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，在所述编程操作中，用于确定所述虚设单元的阈值电压的验证操作被省略。
25.根据权利要求19所述的方法，其中在执行所述存储器芯片的封装过程时执行所述高温过程。
26.根据权利要求19所述的方法，其中在高于室温的温度处执行所述高温过程，并且所述可移动离子在高于室温的所述温度处将移动。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体设备的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器芯片的所述制造包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述第一选择晶体管和所述存储器单元之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述第二选择晶体管和所述存储器单元之间。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述虚设单元被形成在所述存储器单元之间。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极线包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述单元塞的所述形成中，在所述单元塞中进一步形成附加虚设单元。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述存储器芯片被完全地制造之后执行所述虚设单元的所述编程。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述虚设单元的所述编程中，所述虚设单元被编程为经编程的存储器单元针对编程状态中的任一种状态而具有的阈值电压之中的最高阈值电压。
10.根据权利要求1所述的方法，其中以将最高编程电压施加到被连接到所述虚设单元的虚设线的方式来执行所述虚设单元的所述编程。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述编程电压被施加到所述虚设线之后，用于确定所述虚设单元的阈值电压的验证操作被省略。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器芯片的所述制造包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述保护层由液体密封剂形成。
14.根据权利要求13所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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