发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统。发光装置包括：导电支撑件；发光结构层，其包括在该导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

【技术实现步骤摘要】

本申请要求在2009年6月10日提交的韩国专利申请No. 10-2009-0051249的优 先权，其通过引用被整体包含在此。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而已经被广泛地用作诸如发光二极 管(LED)或者激光二极管(LD)这样的发光装置的主要材料。一般，III-V族氮化物半导体 包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1、0彡y彡1和0彡x+y彡1)的半导体材料。LED是半导体器件，其通过下述方式来发送/接收信号通过使用化合物半导体的 特性将电信号转换为红外线或光。LED也被用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光装置，以提供光。例如，LED或 者LD被用作诸如蜂窝电话的小键盘发光部分、电子招牌和发光装置这样的各种产品的光 源。
技术实现思路
实施例提供了具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统。实施例提供了发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过在 已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。根据实施例，发光装置包括导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的 第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑 件具有向内凹进的弯曲侧表面。发光装置封装包括封装体；在封装体上的第一和第二电极层；发光装置，其被安 装在封装体上，并且电连接到第一电极层和第二电极层；以及，围绕所述发光装置的模制 件。发光装置包括导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体 层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进 的弯曲侧表面。根据实施例，光照系统包括衬底和在衬底上安装的发光装置。发光装置包括导电 支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导 体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。根据实施例，用于制造发光装置的方法包括形成发光结构层，发光结构层包括在 生长衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；并且，选择性地在发光结 构层上形成保护层；在发光结构层和保护层上形成导电支撑件；从发光结构层去除生长衬 底；通过相对于发光结构层执行隔离蚀刻形成芯片边界区域，使得发光结构层被划分为多 个芯片单元；通过相对于芯片边界区域执行激光划片处理、同时穿过所述导电支撑件来形 成分离段，通过该分离段，导电支撑件被划分为多个分离的部分；相对于分离段执 蚀刻处 理；并且，通过断开导电支撑件来以芯片为单位划分发光结构层和导电支撑件。实施例可以提供具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系 统。实施例可以提供发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过 在已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。附图说明图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图；图12是示出根据实施例的、包括发光装置的发光装置封装的视图；图13是示出根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的背光单元的视图； 以及图14是根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的光照系统。 具体实施例方式以下，将查看附图说明实施例。在实施例的说明中，将参考附图说明术语“在每层 上”或者“在每层下”的概念。同时，可以明白，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为 在另一个衬底、另一层(或者膜)、另一个区域、另一个垫或者另一个图案“上”或者“下”，则 其可以“直接地”或者“间接地”在所述另一个衬底、层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”， 或者也可以存在一个或多个插入层。已经参考附图描述了所述层的这样的位置。图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图。参见图1，发光结构层135形成在生长衬底101上。发光结构层135包括第一导电 半导体层110、在第一导电半导体层110上的有源层120和在有源层120上的第二导电半导 体层130。生长衬底101 可以包括蓝宝石(Al2O3)、GaN, SiC、ZnO、Si、GaP、InP 或者 GaAs 之 一。缓冲层和/或无掺杂的半导体层可以形成在生长衬底101上。发光结构层135可以包括基于GaN的半导体层。发光结构层135可以包括GaN、 InGaN, AlGaN 或者 InAlGaN 的至少一个。第一导电半导体层110可以包括N型半导体层。第一导电半导体层110可以包括 具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。例如， 第一导电半导体层110可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN或者InN。第一 导电半导体层110可以被掺杂诸如Si、Ge和Sn这样的N型掺杂剂。通过第一导电半导体层110注入的电子(或者空穴)在有源层120遇到通过第二 导电半导体层130注入的空穴(或者电子)，以便有源层120根据有源层120的材料来发出 基于能带的带隙差的光。有源层120可以具有单量子结构、多量子阱结构、量子点结构和量子线结构之一， 但是实施例不限于此。有源层120可以包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的半导体材料。如果以MQW结构形成有源层120，则有源层120具有多个阱 层和多个阻挡层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的堆叠结 构。掺杂了 η型掺杂剂或者ρ型掺杂剂的镀层(未示出)可以形成在有源层120之上 和/或之下，并且可以包括AlGaN层和InAlGaN层。例如，第二导电半导体层130可以包括P型半导体层。第二导电半导体层130可 以包括具有构成分子式InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的半导体材料。 例如,第二导电半导体层130可以包括InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN或者InN。 第二导电半导体层130可以包括P型掺杂剂，诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。同时，第一导电半导体层110可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层130 可以包括N型半导体层。包括N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层(未示 出)可以形成在第二导电半导体层130上。因此，发光结构层135可以具有NP、PN、NPN或 者PNP结结构的至少一个。第一和第二导电半导体层110和130的掺杂剂的掺杂密度可以 是规则的或者不规则的。换句话说，发光结构层135可以具有各种结构，但是实施例不限于 此。包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130的发光结构层 135可以具有不同地修改的结构。换句话说，发光结构层135不限于根据所述实施例的上述结构。在根据所述实施例的制造发光装置的方法中，可以一起提供多个发光装置芯片。 以下，为了说明的目的，仅仅说明对应于第一和第二芯片的区域。参见图2，在第二导电半导体层130上选择性地形成保护层140。例如，可以沿着第一和第二芯片区域的外围部分在第二导电半导体层130上选择 性地形成保护层140。保护层140可以包括绝缘材料或者在隔离蚀刻处理中不产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：导电支撑件；发光结构层，其包括在所述导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在所述发光结构层上的电极，其中，所述导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑畴溶，郑泳奎，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]