单晶炉用热屏以及具有其的单晶炉制造技术

本发明专利技术公开一种用于单晶炉的热屏及使用其的单晶炉，所述热屏包括定位部，所述定位部用于与炉体连接，且所述定位部形成有上部开口端；和锥台部，所述锥台部上端与定位部相连接且下端形成有下部开口端，其中，所述锥台部由基体和位于基体内表面上的内层构成，形成所述内层的内层材料从包括硅、硅化合物、耐１４００℃金属、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物质的混合物的组中选择。通过在单晶炉内的石英坩埚上方安装本发明专利技术的热屏，从而实现了多装料的同时避免了在装料时混入碳成分，因而能够在提高生产效率、降低生产成本的同时获得高品质的单晶。此外，本发明专利技术还公开了一种单晶制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种用于单晶炉中多装料的热屏和采 用该热屏的单晶炉。
技术介绍
直拉法(即Cz法)晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。直 拉法拉制单晶过程包括装料，加热，熔化，单晶生长，冷却。其中，装料量直接决定所生长出 的单晶的长度。因此，从提高生产效率和成品率以及降低生产成本等方面考虑，应该尽量多 地装料。由于用于生产单晶的原料为块状或颗粒状，料块之间存在大量缝隙，导致装满石 英坩埚的固态多晶给料熔化后体积大幅缩小。为了实现多装料，可以考虑在加多晶给料时， 使多晶给料在热屏内堆积，在热屏的支撑下这部分堆积的多晶给料不会滑落到坩埚外。随 着底部的多晶给料的熔化，堆积在热屏内的多晶给料由于重力作用自然滑落，从而熔化，以 此来实现多装料。图1为现有技术的单晶炉装料后的结构示意图。现有技术的单晶炉包括上炉 体(图中未示出)；与所述上炉体相配合的下炉体100'；设置在所述下炉体内的支撑装 置200'，设置于所述支撑装置上的石墨坩埚500'和石墨坩埚500'内设置的石英坩埚 400'；设置在石墨坩埚500'外周的至少一个加热器600'；设置在加热器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于单晶炉的热屏，其特征在于，包括：定位部，所述定位部用于与炉体连接，且所述定位部形成有上部开口端；和锥台部，所述锥台部上端与定位部相连接且下端形成有下部开口端，其中，所述锥台部由基体和位于基体内表面上的内层构成，形成所述内层的内层材料是从包括硅、含硅化合物、耐１４００℃金属、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物质的混合物所形成的组中选择的，其中，所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅、二氧化硅，所述耐１４００℃金属包括钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛、锆及其合金，所述硼化物包括碳化硼、氮化硼、硼化锆、硼化镧、硼化钛、硼化钽、硼化铬、硼化钨、硼化钼、硼化钒、硼化铌，所述碳化物包括碳化铬、碳化钽、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万关良，
申请(专利权)人：万关良，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]