【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表其存储的一个二进制比特是1还是0。
2、3d堆叠式dram是一种在基底上堆叠多层晶体管的结构，其集成度较高，有利于降低单位面积的成本。然而3d堆叠式dram的性能还有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，至少有利于提高3d堆叠式dram的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，其中，所述半导体结构包括晶体管区，所述晶体管区包括在第一方向排列的第一源漏区和字线区，所述制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成多层间隔设置的有源层，所述晶体管区的所述有源层包括多个在第二方向排列的有源结构，所述第二方向垂直于所述第一方向；在所述第一源漏区和所述字线区形成多个伪字线结构，所述伪字线结构包覆同一层所述有源结构的表面；在相邻所述伪字线结构之间形成第一隔离层，形成第一隔离层，所述第一隔离层与所述伪字线结构在第三方向上交替设置，所述第三方向垂直于所述基底表面；去除所述伪字线结构；在所述第一源漏区和所述字线区的所述有源结构的表面形成初始介质层；在所述初始介质层表面形成初始字线，且所述初始字线包覆所述有源结构；去除位于所述第一源漏区的所述初始字线和初始介质层；剩余的所述初始介质层构成介
3、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：形成包覆同一层有源层的伪字线结构，伪字线结构所占据的空间位置为后续形成的初始字线所占据的空间位置；在相邻伪字线结构之间形成第一隔离层，此后，去除伪字线结构，并在第一隔离层内形成初始字线。即第一隔离层能够规范初始字线的形状，从而避免同一字线发生断开，或相邻字线发生互连的问题。此外，从而有利于提高半导体结构的性能。此外，第一源漏区能够增大形成伪字线结构、第一隔离层、初始字线的工艺窗口，从而便于工艺制造。
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1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括晶体管区，所述晶体管区包括在第一方向排列的第一源漏区和字线区，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于所述第一源漏区的所述初始字线和初始介质层，以及在所述第一源漏区形成所述绝缘层，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述初始介质层和所述初始字线还位于所述第一源漏区背向所述字线区的一侧；
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层前，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成多层间隔设置的有源层的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述支撑结构的材料与所述第一隔离层的材料不同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：台阶区，所述台阶区与所述字线区在所述第二方向排列，且二者相接；
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述字线连接层的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一隔离层包括：
13.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述晶体管区还包括防漏电区和第二源漏区；所述防漏电区位于所述第二源漏区与所述字线区之间；在所述第一方向上，所述防漏电区的宽度大于所述第二源漏区的宽度；
14.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述伪字线结构的方法包括：原子层沉积工艺。
15.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述伪字线结构的方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构包括晶体管区，所述晶体管区包括在第一方向排列的第一源漏区和字线区，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除位于所述第一源漏区的所述初始字线和初始介质层，以及在所述第一源漏区形成所述绝缘层，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述初始介质层和所述初始字线还位于所述第一源漏区背向所述字线区的一侧；
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层前，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成多层间隔设置的有源层的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述支撑结构的材料与所述第一隔离层的材料不同。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：台阶区，所述台阶区与所述字线区在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：窦涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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