【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装件。
技术介绍
1、在所有部门，行业和地区，电子行业都在不断要求提供更轻、更快、更小、多功能、更可靠和更具成本效益的产品。为了满足众多不同消费者的这些不断增长的需求，需要集成更多的电路来提供所需的功能。在几乎所有应用中，对减小尺寸，提高性能和改善集成电路功能的需求不断增长。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体封装件。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体封装件，包括：
3、第一基板，所述第一基板具有第一面，所述第一面包括第一信号传输区域和第二信号传输区域；
4、第一半导体结构，所述第一半导体结构位于所述第一基板的第一面上，并与所述第一信号传输区域之间电连接；
5、第二基板，所述第二基板位于所述第一基板上，所述第二基板包括基底和位于所述基底上的第一互连面，所述第二基板的所述第一互连面背离所述第一基板的第一面，所述第一互连面具有相互连通的第一互连区域和第二互连区域，所述第一互连区域与所述第二信号传输区域之间电连接；
6、填充层，所述填充层密封所述第一半导体结构、所述第二基板与所述第一基板的第一面，其中，所述第一互连区域不被所述填充层密封，所述第二互连区域被所述填充层密封，且所述第二互连区域上的所述填充层的顶表面与所述第一互连区域之间具有预设高度。
7、在一些实施例中，所述第一基板的第一面还包括位于所述第一信号传输区域和所述第二信号传输区域之间的
8、在一些实施例中，所述第一基板的第一面还包括第四信号传输区域，所述第二基板位于所述第四信号传输区域上，所述第二信号传输区域与所述第四信号传输区域之间电连接。
9、在一些实施例中，所述第二基板位于所述第一半导体结构上，所述第一互连区域通过所述第二互连区域与所述第二信号传输区域之间电连接；所述第三信号传输区域包括第一子信号区域和第二子信号区域，所述第一子信号区域与所述第一信号传输区域互连，且位于所述第一信号传输区域的临近区域，所述第二子信号区域与所述第二信号传输区域互连，且位于所述第二信号传输区域的临近区域。
10、在一些实施例中，所述第四信号传输区域与所述第一互连区域之间电连接。
11、在一些实施例中，所述第一信号传输区域和所述第二信号传输区域位于所述第一基板相对的两侧，所述第一半导体结构具有第一连接端，所述第一连接端与所述第一信号传输区域位于同一侧，且所述第一连接端与所述第一信号传输区域之间通过引线互连，所述第二互连区域与所述第二信号传输区域位于同一侧，所述第二互连区域与所述第二信号传输区域之间通过引线互连。
12、在一些实施例中，所述第一半导体结构与所述第一信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连。
13、在一些实施例中，所述第一半导体结构与所述第三信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连，所述第一信号传输区域与所述第三信号传输区域互连。
14、在一些实施例中，所述第二基板还包括位于所述基底另一面上的第二互连面，所述基底中具有连接所述第一互连区域与所述第二互连面的通道，所述第一互连区域借由所述通道与所述第二信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连。
15、在一些实施例中，所述第二基板的所述基底中具有电磁屏蔽层。
16、在一些实施例中，所述第一基板的所述第一子信号区域和所述第二子信号区域之间具有电磁屏蔽结构。
17、在一些实施例中，所述第一基板具有与所述第一面相背离的第二面，所述第一面与所述第二面之间存在电路通道，所述第一基板的所述第二面上具有多个第一连接垫；
18、所述第二基板的所述第一互连区域上具有多个第二连接垫，所述第二连接垫的面积大于或等于所述第一连接垫的面积。
19、在一些实施例中，所述第二基板的所述第二互连区域上具有多个第三连接垫，所述第三连接垫的面积小于所述第二连接垫的面积。
20、在一些实施例中，所述第一基板的所述第一信号传输区域上具有多个第四连接垫，所述第四连接垫的面积小于或等于所述第一连接垫的面积。
21、在一些实施例中，所述第三连接垫的数量大于所述第二连接垫的数量。
22、在一些实施例中，在垂直于所述第一基板的方向上，所述第一基板具有第一厚度，在垂直于所述第二基板的方向上，所述第二基板具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
23、在一些实施例中，还包括第二封装件，所述第二封装件具有接触面，所述第二封装件通过所述接触面与所述第一互连区域互连。
24、在一些实施例中，所述第二封装件的所述接触面上具有第一接触结构，所述第一接触结构在垂直于所述接触面的方向上具有突出于所述接触面的第一高度，所述第一高度大于所述预设高度。
25、在一些实施例中，所述第一基板的所述第一连接垫上具有突出于所述第一基板的第二接触结构，所述第二接触结构在垂直于所述第一基板的方向上具有突出于所述第一基板的第二高度，所述第二高度小于或等于所述第一高度。
26、在一些实施例中，所述第二封装件包括第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构的类型相同或不同。
27、本公开实施例中，通过设置第二基板，后续其他半导体结构可以通过第二基板上的第一互连区域与第一半导体结构以及第一基板连接，如此，可实现不同类型或不同规格的半导体结构之间的互连，使得不同半导体结构之间的组合更加灵活。同时因为第一半导体结构和后续与第一半导体结构连接的其他半导体结构是独立封装的，因此也更加容易进行测试和失效分析。并且由于第二基板的第一互连区域与填充层的顶表面之间存在预设高度，如此，其他半导体结构可放置于第一互连区域上，由填充层围成的区域内，进而减少整体结构的高度和尺寸。
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1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的第一面还包括位于所述第一信号传输区域和所述第二信号传输区域之间的第三信号传输区域，所述第一半导体结构位于所述第三信号传输区域上。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的第一面还包括第四信号传输区域，所述第二基板位于所述第四信号传输区域上，所述第二信号传输区域与所述第四信号传输区域之间电连接。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板位于所述第一半导体结构上，所述第一互连区域通过所述第二互连区域与所述第二信号传输区域之间电连接；所述第三信号传输区域包括第一子信号区域和第二子信号区域，所述第一子信号区域与所述第一信号传输区域互连，且位于所述第一信号传输区域的临近区域，所述第二子信号区域与所述第二信号传输区域互连，且位于所述第二信号传输区域的临近区域。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述第四信号传输区域与所述第一互连区域之间电连接。
6.根据权利要求2所述
7.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一半导体结构与所述第一信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一半导体结构与所述第三信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连，所述第一信号传输区域与所述第三信号传输区域互连。
9.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板还包括位于所述基底另一面上的第二互连面，所述基底中具有连接所述第一互连区域与所述第二互连面的通道，所述第一互连区域借由所述通道与所述第二信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板的所述基底中具有电磁屏蔽层。
11.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的所述第一子信号区域和所述第二子信号区域之间具有电磁屏蔽结构。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板具有与所述第一面相背离的第二面，所述第一面与所述第二面之间存在电路通道，所述第一基板的所述第二面上具有多个第一连接垫；
13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板的所述第二互连区域上具有多个第三连接垫，所述第三连接垫的面积小于所述第二连接垫的面积。
14.根据权利要求12所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的所述第一信号传输区域上具有多个第四连接垫，所述第四连接垫的面积小于或等于所述第一连接垫的面积。
15.根据权利要求13所述的半导体封装件，其特征在于，所述第三连接垫的数量大于所述第二连接垫的数量。
16.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，在垂直于所述第一基板的方向上，所述第一基板具有第一厚度，在垂直于所述第二基板的方向上，所述第二基板具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
17.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括第二封装件，所述第二封装件具有接触面，所述第二封装件通过所述接触面与所述第一互连区域互连。
18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二封装件的所述接触面上具有第一接触结构，所述第一接触结构在垂直于所述接触面的方向上具有突出于所述接触面的第一高度，所述第一高度大于所述预设高度。
19.根据权利要求18所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的所述第一连接垫上具有突出于所述第一基板的第二接触结构，所述第二接触结构在垂直于所述第一基板的方向上具有突出于所述第一基板的第二高度，所述第二高度小于或等于所述第一高度。
20.根据权利要求17所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二封装件包括第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构的类型相同或不同。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的第一面还包括位于所述第一信号传输区域和所述第二信号传输区域之间的第三信号传输区域，所述第一半导体结构位于所述第三信号传输区域上。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一基板的第一面还包括第四信号传输区域，所述第二基板位于所述第四信号传输区域上，所述第二信号传输区域与所述第四信号传输区域之间电连接。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板位于所述第一半导体结构上，所述第一互连区域通过所述第二互连区域与所述第二信号传输区域之间电连接；所述第三信号传输区域包括第一子信号区域和第二子信号区域，所述第一子信号区域与所述第一信号传输区域互连，且位于所述第一信号传输区域的临近区域，所述第二子信号区域与所述第二信号传输区域互连，且位于所述第二信号传输区域的临近区域。
5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述第四信号传输区域与所述第一互连区域之间电连接。
6.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一信号传输区域和所述第二信号传输区域位于所述第一基板相对的两侧，所述第一半导体结构具有第一连接端，所述第一连接端与所述第一信号传输区域位于同一侧，且所述第一连接端与所述第一信号传输区域之间通过引线互连，所述第二互连区域与所述第二信号传输区域位于同一侧，所述第二互连区域与所述第二信号传输区域之间通过引线互连。
7.根据权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一半导体结构与所述第一信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一半导体结构与所述第三信号传输区域在垂直于所述第一基板的方向上互连，所述第一信号传输区域与所述第三信号传输区域互连。
9.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二基板还包括位于所述基底另一面上的第二互连面，所述基底中具有连接所述第一互连区域与所述第二互连面的通道，所述第一互连区域借由所述通道与所述第二信号传输区域在垂直于所述第一基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晓飞，全昌镐，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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