【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(high-electron-mobility transistors，hemts)的深入研究非常普遍，尤其是在大功率开关和高频应用方面。对hemt功率器件而言，击穿电压是一项非常关键的性能参数。
2、因此，如何提高hemt功率器件的耐压强度十分重要。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，能够提高hemt功率器件的耐压强度。
2、本专利技术提供一种半导体器件，包括：
3、半导体衬底；
4、第一氮化物半导体层，设置于半导体衬底上；
5、第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上；
6、第三氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层上；
7、栅极电极，设置于所述第三氮化物半导体层上；
8、源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极均设置于所述第二氮化物半导体层上；
9、其中，所述第二氮化物半导体层开设有凹槽，所述凹槽与所述栅极电极之间的距离小于所述凹槽与所述漏极电极之间的距离。
10、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述凹槽开设于所述第二氮化物半导体层的第一部分和第二部分之间，所述第一部分为所述第三氮化物半导体层覆盖所述第二氮化物半导体层的部分，所述第二部分为所述漏极电极覆盖所述
11、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述凹槽开设于所述第一部分和所述第二部分之间靠近所述第一部分的一侧。
12、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述凹槽的边缘与所述第一部分的边缘邻接。
13、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述第一氮化物半导体层为氮化镓层。
14、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述第二氮化物半导体层为氮化铝镓层。
15、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述第三氮化物半导体层为p型氮化镓层。
16、根据本专利技术提供的一种半导体器件，所述凹槽的深度小于所述第二氮化物半导体层的厚度。
17、根据本专利技术提供的一种半导体器件，还包括：
18、第三介电层，所述第三介电层覆盖所述栅极电极、所述源极电极、所述漏极电极和所述第二氮化物半导体层。
19、本专利技术还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
20、形成半导体衬底；
21、在半导体衬底上形成第一氮化物半导体层；
22、在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层；
23、在所述第二氮化物半导体层上形成第三氮化物半导体层；
24、在所述第三氮化物半导体层上形成栅极电极；
25、在所述第二氮化物半导体层开设凹槽；
26、在所述第二氮化物半导体层上形成源极电极和漏极电极，其中，所述凹槽与所述栅极电极之间的距离小于所述凹槽与所述漏极电极之间的距离。
27、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述在所述第三氮化物半导体层上形成栅极电极，包括：
28、在所述第三氮化物半导体层上形成栅极层；
29、在所述栅极层上形成第一介电层；
30、在所述第一介电层上形成第一光罩层；
31、对所述第一光罩层进行图形化处理，以得到第一图形化光罩层；
32、基于所述第一图形化光罩层对所述第一介电层和所述栅极层进行刻蚀，以得到所述栅极电极和刻蚀后的第一介电层；
33、去除所述第一图形化光罩层。
34、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述在所述第二氮化物半导体层开设凹槽，包括：
35、在所述刻蚀后的第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述栅极电极和所述刻蚀后的第一介电层；
36、对所述第二介电层进行刻蚀，得到刻蚀后的第二介电层；
37、对所述第三氮化物半导体层进行刻蚀，得到刻蚀后的第三氮化物半导体层；
38、在所述刻蚀后的第二介电层上形成第二光罩层，以及在所述第二氮化物半导体层上形成第三光罩层，其中，所述第二氮化物半导体层的部分区域未被所述第二光罩层和所述第三光罩层覆盖；
39、对所述第二光罩层和所述第三光罩层进行图形化处理，以得到第二图形化光罩层和第三图形化光罩层；
40、基于所述第二图形化光罩层和所述第三图形化光罩层对所述第二氮化物半导体层进行刻蚀，以得到所述凹槽；
41、去除所述第二图形化光罩层和所述第三图形化光罩层。
42、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，在所述去除所述第二图形化光罩层和所述第三图形化光罩层之后，所述方法还包括：
43、去除所述刻蚀后的第一介电层和所述刻蚀后的第二介电层。
44、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述第一氮化物半导体层为氮化镓层。
45、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述第二氮化物半导体层为氮化铝镓层。
46、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述第三氮化物半导体层为p型氮化镓层。
47、根据本专利技术提供的一种半导体器件的制造方法，所述方法还包括：
48、在所述第二氮化物半导体层上形成第三介电层，所述第三介电层覆盖所述栅极电极、所述源极电极、所述漏极电极和所述第二氮化物半导体层。
49、本专利技术实施例的半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件包括：半导体衬底；第一氮化物半导体层，设置于半导体衬底上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，设置于所述第二氮化物半导体层上；栅极电极，设置于所述第三氮化物半导体层上；源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极均设置于所述第二氮化物半导体层上；其中，所述第二氮化物半导体层开设有凹槽，所述凹槽与所述栅极电极之间的距离小于所述凹槽与所述漏极电极之间的距离，通过在第二氮化物半导体层开设凹槽，可以降低第二氮化物半导体层在凹槽区域的氮化物浓度，从而降低尖端电势，提高耐压强度。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽开设于所述第二氮化物半导体层的第一部分和第二部分之间，所述第一部分为所述第三氮化物半导体层覆盖所述第二氮化物半导体层的部分，所述第二部分为所述漏极电极覆盖所述第二氮化物半导体层的部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽开设于所述第一部分和所述第二部分之间靠近所述第一部分的一侧。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一部分的边缘邻接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层为氮化镓层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氮化物半导体层为氮化铝镓层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三氮化物半导体层为P型氮化镓层。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第二氮化物半导体层开设凹槽，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述去除所述第二图形化光罩层和所述第三图形化光罩层之后，所述方法还包括：
13.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氮化物半导体层为氮化镓层。
14.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二氮化物半导体层为氮化铝镓层。
15.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三氮化物半导体层为P型氮化镓层。
16.根据权利要求9-15任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽开设于所述第二氮化物半导体层的第一部分和第二部分之间，所述第一部分为所述第三氮化物半导体层覆盖所述第二氮化物半导体层的部分，所述第二部分为所述漏极电极覆盖所述第二氮化物半导体层的部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽开设于所述第一部分和所述第二部分之间靠近所述第一部分的一侧。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的边缘与所述第一部分的边缘邻接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层为氮化镓层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氮化物半导体层为氮化铝镓层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三氮化物半导体层为p型氮化镓层。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜子明，杜卫星，游政昇，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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