【技术实现步骤摘要】
具有内含式sense FET的功率集成电路器件
技术介绍
本公开内容涉及半导体器件、器件结构，以及用于制作高压集成电路或功率晶体 管器件的方法。
技术介绍
电流检测场效应晶体管(current sensing field-effecttransistor)，亦常常称 作sense FET，其已被用于集成电路应用长达多年，其中精确的电流检测可提供信息供用于 控制和过保护两者。Sense FET —般被构造为较大的主载流半导体器件的一个小部分或晶 体管部分。例如，在常规绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)器件中，senseFET可包括主器件的 沟道区的一小部分。在运行中，sense FET可对较大器件的沟道电流的一小部分取样，从而 提供关于流过主晶体管器件的电流的指示。Sense FET和主器件一般共用一个公共漏极和 栅极，但是各具有单独的源极电极，该源极电极可对体区短路，也可不对体区短路。Sense FET尤其可用于许多功率传送应用中，以提供限流保护和精确的功率传 送。为了提供这些功能，sense FET需要在很宽的漏电流(IOOmA至10安培)、温度(_25°C 至125)以...
【技术保护点】
一种功率集成电路（ＩＣ）器件，包括：具有第一导电类型的衬底；横向高压场效应晶体管（ＨＶＦＥＴ），其包括：布置在所述衬底中的第一阱区，该第一阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该第一阱区包括所述横向ＨＶＦＥＴ的扩展漏极；具有所述第二导电类型的第一漏极区，其布置在所述第一阱区中；具有所述第一导电类型的第一体区，其布置在所述衬底中，该第一体区具有第一和第二侧边缘，该第二侧边缘毗连所述第一阱区；具有所述第二导电类型的第一源极区，其接近所述第二侧边缘布置在所述第一体区内；布置在所述衬底之上的第一绝缘栅极，该第一绝缘栅极从所述第二侧边缘横向延伸到所述第一源极区；电连接到所述第...
【技术特征摘要】
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