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本发明涉及具有内含式ｓｅｎｓｅ?ＦＥＴ的功率集成电路器件，所述功率集成电路器件包括主横向高压场效应晶体管（ＨＶＦＥＴ）和邻近定位的横向ｓｅｎｓｅ?ＦＥＴ，该ＨＶＦＥＴ和ｓｅｎｓｅ?ＦＥＴ两者都形成在一高电阻率衬底上。检测电阻器形成于布置在该...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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