一种集成SBD的垂直SiC MOSFET及制备方法技术

本发明专利技术提供一种集成SBD的垂直SiC MOSFET及制备方法，该SiC MOSFET包括：肖特基金属；所述肖特基金属位于栅极下方并与栅极氧化层邻接。本发明专利技术在栅极下方增加了一块肖特基金属，形成肖特基二极管，并且该肖特基金属与源极短接，当SiC MOSFET正常工作时，该肖特基二极管处于关断状态，当SiC MOSFET反接时，该肖特基二极管处于开通状态，并且比体二极管更早开启，提供了由源极流向肖特基二极管最终流向漏极的反向续流回路，能够增强SiC MOSFET的反向续流能力，还能够降低米勒电容，减少开关损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种集成sbd的垂直sic mosfet及制备方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料碳化硅具有带隙宽、击穿场强高、热导率高、饱和电子迁移速率高、物理化学性能稳定等特性，可适用于高温，高频，大功率和极端环境。碳化硅具有更大的禁带宽度和更高的临界击穿场强。相比同等条件下的硅功率器件，碳化硅器件的耐压程度约为硅材料的10倍。另外，碳化硅器件的电子饱和速率较高、正向导通电阻小、功率损耗较低，适合大电流大功率运用，降低对散热设备的要求。相对于其它第三代半导体(如gan)而言，碳化硅能够较方便的通过热氧化形成二氧化硅。sic具有独特的物理、化学及电学特性，是在高温、高频、大功率及抗辐射等极端应用领域极具发展潜力的半导体材料。而sic功率器件具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高耐高压等一系列优点，在开关稳压电源、高频以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。

2、在实际应用中，通常将sic mosfet与sbd或jfet反并联集成，可以起到反向续流作用，但是其制作工艺较为复杂，并且还易引起可靠性问题，而且芯片面积有所增大，并且由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成SBD的垂直SiC MOSFET，其特征在于，包括：肖特基金属；

2.根据权利要求1所述的一种集成SBD的垂直SiC MOSFET，其特征在于，还包括：CSL层；

3.根据权利要求1所述的一种集成SBD的垂直SiC MOSFET，其特征在于，还包括：P+屏蔽层；

4.根据权利要求1所述的一种集成SBD的垂直SiC MOSFET，其特征在于，还包括：源极、漏极、衬底、N-drift层、P-body层、N+层；

5.根据权利要求1所述的一种集成SBD的垂直SiC MOSFET，其特征在于，所述肖特基金属的厚度为0.5um。

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【技术特征摘要】

1.一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于，包括：肖特基金属；

2.根据权利要求1所述的一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于，还包括：csl层；

3.根据权利要求1所述的一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于，还包括：p+屏蔽层；

4.根据权利要求1所述的一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于，还包括：源极、漏极、衬底、n-drift层、p-body层、n+层；

5.根据权利要求1所述的一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于，所述肖特基金属的厚度为0.5um。

6.根据权利要求3所述的一种集成sbd的垂直sic mosfet，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：