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本发明提供一种集成SBD的垂直SiC MOSFET及制备方法，该SiC MOSFET包括：肖特基金属；所述肖特基金属位于栅极下方并与栅极氧化层邻接。本发明在栅极下方增加了一块肖特基金属，形成肖特基二极管，并且该肖特基金属与源极短接，当SiC...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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