【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于铜箔表面处理，具体涉及一种铜箔表面微细粗化处理液及其应用。
技术介绍
1、随着通信技术的突飞猛进，数字电路逐渐步入信息处理高速化、信息传输高频化阶段。受趋肤效应影响，在高频化的印制电路板(pcb)和覆铜箔层压板(ccl)环境中，信号传输是沿着铜箔的轮廓曲线进行的，其传送距离与表面粗糙度的大小密切相关。当铜箔轮廓大时，信号传输距离增长，造成信号传送速度减慢，并且传送损失也增加。因此，减小传输路径和减小表面粗化铜瘤是缓解趋肤效应的有效手段。超低轮廓铜箔(hvlp铜箔)因其平滑的表面轮廓及极低的表面粗糙度，是高频、高速领域使用的主流产品。但是，大幅降低铜箔表面粗糙度，会使粗化铜瘤层对树脂的锚定效应减弱，导致铜箔与树脂的结合力降低。
2、聚四氟乙烯(ptfe)是一种分子结构对称的材料，具有优秀的物理、化学和电气性能，被广泛应用于卫星通讯、移动无线电通讯、卫星广播电视雷达设备及计算机等领域。由于不同树脂材料在成型过程中表现出的可软化、可流动等性能的差异，铜箔表面粗化层形貌会直接影响其嵌入树脂的难易程度及锚定的效果，进而影响铜箔与树脂的结合力。因ptfe是非极性且具有较高结晶度的热塑性塑料，其在熔融状态下具有较高的粘度而没有足够的流动性，因而其可加工性较其他材料难度大。所以，ptfe覆铜板对铜箔表面粗化层的铜颗粒形态尤为挑剔。常见的球形的粗化铜粒子及顶端圆润或顶端过钝的粗化铜粒子，在压制ptfe覆铜板时，铜粒子难以刺入树脂形成锚定效应，导致铜箔与树脂的结合力差。另外，粗化铜粒子需保证一定的强度，若太过细长，则易发生
技术实现思路
1、本专利技术针对上述现有技术存在的不足，提供一种铜箔表面微细粗化处理液及其应用，采用本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液制备的高频板用hvlp铜箔表面粗化铜颗粒具有尖锐的顶端结构，易刺入ptfe材料形成锚定效应，可提高铜箔与树脂间的结合力；且制备的高频板用hvlp铜箔具有极低的表面轮廓度和表面粗糙度，可缓解高频环境下因趋肤效应造成的信号传输损耗问题。
2、本专利技术的第一个目的在于提供一种铜箔表面微细粗化处理液，每升处理液中包含以下组分：硫酸铜25-40g，钼酸钠3-6g，三氧化铬1-2.5g，二乙烯三胺五乙酸五钠9-12g，余量为水。
3、进一步，所述处理液的溶液温度为35-50℃，所述处理液的溶液ph值为1.5-2.5。
4、进一步，所述处理液的溶液ph值采用酸液或碱液进行调节。
5、进一步，所述酸液为硫酸。
6、进一步，所述碱液为氢氧化钠。
7、本专利技术的第二个目的在于提供上述铜箔表面微细粗化处理液在制备高频板用hvlp铜箔中的应用。
8、进一步，所述高频板用hvlp铜箔的制备方法包括微细粗化处理，所述微细粗化处理的处理液为上述的铜箔表面微细粗化处理液。
9、进一步，所述微细粗化处理的阴极电流密度为7-10a/dm2。
10、进一步，所述微细粗化处理的电镀时间为5-8s。
11、与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
12、(1)本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液，材料简单易得，安全环保；
13、(2)采用本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液制备的高频板用hvlp铜箔表面粗化铜颗粒为纳米级尺寸；
14、(3)采用本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液制备的高频板用hvlp铜箔表面粗化铜颗粒具有尖端结构，易刺入ptfe材料形成锚定效应，可提高铜箔与树脂间的结合力；
15、(4)本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液可应用于高频板用hvlp铜箔的制备，工艺流程简单，制备的高频板用hvlp铜箔具有极低的表面轮廓度和表面粗糙度，可缓解高频环境下因趋肤效应造成的信号传输损耗问题；
16、(5)采用本专利技术的铜箔表面微细粗化处理液参与制备的高频板用hvlp铜箔，适用于ptfe树脂材料，可实现铜箔与树脂材料的高结合力。
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1.一种铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，每升处理液中包含以下组分：硫酸铜25-40g，钼酸钠3-6g，三氧化铬1-2.5g，二乙烯三胺五乙酸五钠9-12g，余量为水。
2.根据权利要求1所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液温度为35-50℃。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液pH值为1.5-2.5。
4.根据权利要求3所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液pH值采用酸液或碱液进行调节。
5.根据权利要求4所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述酸液为硫酸。
6.根据权利要求4所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述碱液为氢氧化钠。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的铜箔表面微细粗化处理液在制备高频板用HVLP铜箔中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述高频板用HVLP铜箔的制备方法包括微细粗化处理，所述微细粗化处理的处理液为权利要求1-6任一项所述的铜箔表面微细粗化处理液。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述微细粗化处理的阴极电流密度为7-10A/dm2。
10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述微细粗化处理的电镀时间为5-8s。
...【技术特征摘要】
1.一种铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，每升处理液中包含以下组分：硫酸铜25-40g，钼酸钠3-6g，三氧化铬1-2.5g，二乙烯三胺五乙酸五钠9-12g，余量为水。
2.根据权利要求1所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液温度为35-50℃。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液ph值为1.5-2.5。
4.根据权利要求3所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述处理液的溶液ph值采用酸液或碱液进行调节。
5.根据权利要求4所述的铜箔表面微细粗化处理液，其特征在于，所述酸液...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙云飞，王学江，李林昌，徐好强，薛伟，王其伶，张艳卫，张嵩岩，刘铭，徐媛亭，
申请(专利权)人：山东金宝电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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