一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备方法技术

技术编号:39329231 阅读:9 留言:0更新日期:2023-11-12 16:06
本发明专利技术属于覆铜板生产技术领域,涉及一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备方法,包括如下步骤:(1)制备分散乳液;(2)上胶;(3)等离子处理;(4)板材制备;(5)压制覆铜板。本发明专利技术的制备方法制得的覆铜板板材的介电常数(Dk)≤2.6(10GHz),介电损耗(Df)≤0.005(10GHz),抗剥可达到1.55N/mm,具有非常低的介电常数和介电损耗、较高剥离强度,适应高频高速电路板的设计。适应高频高速电路板的设计。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备方法


[0001]本专利技术属于覆铜板生产
,尤其涉及一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G通讯技术的广泛普及,电子产品日新月异,为了满足整机电子产品信号的高速高质量传输,必须在CCL(铜箔基板)上表现出具有低介电常数性等优秀的介电特性。聚四氟乙烯(PTFE)拥有优异的电绝缘性能和介电性能,其介电常数(1MHz)低达2.1,且在10exp10Hz内与频率和温度无关。但是,其表面惰性难于直接与铜箔结合,而且质硬,加工困难,对钻头磨损极大。
[0003]在专利CN111613385A中公开了一种在PTFE基板上通过磁控溅射的方式镀镍层和铜层,虽抗剥强度提高,但溅射镀铜会导致铜层有针孔渗透点等孔隙,使下游加工的时候出现短路或离子迁移(CAF)等现象。
[0004]在专利CN110524977A中公开了一种以PTFE层与环氧FR

4树脂层搭配来提高抗剥的做法,但环氧FR

4层的加入势必导致介电性能大打折扣,用此方法得到的覆铜板介电损耗高。
[0005]上述专利的方法虽然达到了一定提高抗剥的效果,但都建立在比较损耗其他性能的基础上。

技术实现思路

[0006]本专利技术针对上述现有技术存在的不足,提供一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备方法,具体的技术方案如下:
[0007]一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备的方法,包括如下步骤:
[0008](1)制备分散乳液:将PTFE混料混合后乳化1

3小时,再用球磨机湿法球磨1

3小时,混合均匀,制得分散乳液;
[0009](2)上胶:将低介电玻纤布进行浸渍

干燥

烧结

烘焙过程,所述过程至少进行一次,使胶含量达到50%

60%,制成胶布;
[0010]所述浸渍是将低介电玻纤布浸渍所述分散乳液;所述干燥是将浸渍有所述分散乳液的低介电玻纤布去除水分;所述烘焙是除去界面活性剂;所述烧结是将PTFE混料中的树脂加热熔融;
[0011](3)等离子处理:将所述胶布经等离子体处理,使表面刻蚀,粗化;
[0012](4)板材制备:取若干张步骤(3)中经等离子体处理的胶布叠加在一起,双面各覆有一张铜箔,得板材;
[0013](5)压制覆铜板:将所述板材与不锈钢板上下对应叠合,送入真空压机热压制得等离子处理的PTFE覆铜板。
[0014]在本专利技术制备过程中,将所述胶布采用等离子体攻击进行等离子处理,使胶布的
比表面积和粗糙度增加,使表面刻蚀和粗面化,能有效提高粘结性,但不损害铜箔面,不伤害后续加工;所述等离子体是部分电离的气体,由电子、正负数量相等的离子、自由基、原子、分子等高能中性粒子组成。
[0015]进一步地,所述步骤(1)中,按重量份数计,所述PTFE混料包括以下组分:50

80份PTFE粉末、20

40份F

46分散液,30

80份陶瓷粉,1

5份偶联剂,10

50份粘结剂,50

200份溶剂。
[0016]在本专利技术所述PTFE混料中,PTFE是已知最好的绝缘塑料,在所有树脂中,PTFE的介电常数和介电损耗最小,且在10的10次方Hz内稳定,与频率和温度无关。F

46树脂既具有与聚四氟乙烯相似的特性,又具有热塑性塑料的良好加工性能,因而它弥补了聚四氟乙烯加工困难的不足,但又很少损害其介电性能,还能使PTFE与铜箔的粘合性更佳,提高抗剥能力;陶瓷粉可在后续加工中制作精细线条和线间距,并具有极好的高频特性,绝缘特性。偶联剂能使树脂与玻纤布相容性更好,易于彼此粘合。
[0017]进一步地,所述F

46分散液是氟化乙烯丙烯共聚物,是以非离子表面活性剂制成的水性分散液;所述F

46分散液的质量分数为55

65wt%。
[0018]进一步地,所述陶瓷粉为(Mg、Ca)TiO3系、BaO

TiO2系、ZnO

TiO2系、BaN

Nd2O3‑
TiO2系、(Zr,Sn)
·
TiO3系、(Zn,Sn)
·
TiO3系、(Ba,Nb)TiO3系、硼硅酸盐系或单相陶瓷系等中的一种或多种。优选地,粒径平均为3

5μm,最大粒径不超过20μm。
[0019]进一步地,所述偶联剂是改性氨基硅烷偶联剂。
[0020]进一步地,所述粘结剂是聚乙烯醇缩丁醛(PVB),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。所述粘结剂可在烧结中烧蚀掉,不影响其介电性能。
[0021]进一步地,所述溶剂是蒸馏水、乙醇、十二烷基磺酸钠、冰醋酸或煤油等。
[0022]进一步地,所述步骤(1)中,乳化时的温度≤60℃,防止过热及溶剂挥发;所述分散乳液的固体量为60

70%。
[0023]进一步地,所述步骤(2)中,所述低介电玻纤布经硅烷偶联剂处理。
[0024]所述硅烷偶联剂可增强玻纤布与树脂之间的粘结,所述硅烷偶联剂等可在烧结中烧蚀掉,不影响其介电性能。
[0025]进一步地,所述低介电玻纤布为E玻纤布或NE玻纤布的任意一种,优选E玻纤布。
[0026]进一步地,所述低介电玻纤布为开纤或扁平处理的玻璃布、无捻布、起毛布、封边布;优选无捻布。
[0027]采用硅烷偶联剂处理过的无捻的低介电型的E玻纤布,其与PTFE混料的浸渍性更好,不会出现表面一层膜的现象。
[0028]进一步地,所述低介电玻纤布进行表面改性处理,如脱蜡,偶联剂、活性剂或渗透剂处理等。
[0029]进一步地,所述步骤(3)中,所述等离子体是在电场中加速的高能态He、Ar等惰性等离子体。
[0030]用惰性等离子攻击,不会引发自由基反应,不引入极性基团,从而不损害其介电性能。
[0031]进一步地,所述步骤(4)中,所使用铜箔为反面处理铜箔。
[0032]优选山东金宝电子有限公司研发生产的型号为RT3型反面处理铜箔,具有低粗糙
度,高抗剥,可减少侧蚀,用作内层板,本身的毛面不需要棕化、黑化处理。
[0033]进一步地,所述步骤(5)中,所述真空压机热压的条件为350

400℃、15

50kgf/cm2,热压时间为500

700min。
[0034]本专利技术的有益效果为:
[0035]采用本专利技术的制备方法制得的覆铜板板材的介电常数(Dk)≤2.6(10GHz),介电损耗(Df)≤0.005(10GHz),本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子处理的PTFE覆铜板的制备的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备分散乳液:将PTFE混料混合后乳化1

3小时,再用球磨机湿法球磨1

3小时,混合均匀,制得分散乳液;(2)上胶:将低介电玻纤布进行浸渍

干燥

烧结

烘焙过程,所述过程至少进行一次,使胶含量达到50%

60%,制成胶布;所述浸渍是将低介电玻纤布浸渍所述分散乳液;所述干燥是将浸渍有所述分散乳液的低介电玻纤布去除水分;所述烘焙是除去界面活性剂;所述烧结是将PTFE混料中的树脂加热熔融;(3)等离子处理:将所述胶布经等离子体处理,使表面刻蚀,粗化;(4)板材制备:取若干张步骤(3)中经等离子体处理的胶布叠加在一起,双面各覆有一张铜箔,得板材;(5)压制覆铜板:将所述板材与不锈钢板上下对应叠合,送入真空压机热压制得等离子处理的PTFE覆铜板。2.根据权利要求1所述的等离子处理的PTFE覆铜板的制备的方法,其特征在于,按重量份数计,所述PTFE混料包括以下组分:50

80份PTFE粉末、20

40份F

46分散液,30

80份陶瓷粉,1

5份偶联剂,10

50份粘结剂,50

200份溶剂。3.根据权利要求1所述的等离子处理的PTFE覆铜板的制备的方法,其特征在于,所述步骤(1)中,乳化时的温度≤60℃,防止过热及溶剂挥发;所述分散乳液的固体量为60

【专利技术属性】
技术研发人员:李凌云刘俊秀秦伟峰刘政栾好帅王丽亚史晓杰陈长浩郑宝林
申请(专利权)人:山东金宝电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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