压电双晶片式ＭＥＭＳ能量采集器及其制备方法技术

一种微机电技术领域的压电双晶片式ＭＥＭＳ能量采集器及其制备方法，装置包括：若干压电双晶片悬臂梁，每个压电双晶片悬臂梁包括：硅固定基座、压电双晶片和质量块，其中：所述的压电双晶片包括：金属基片、两层压电薄膜和两层电极；方法包括：使用提拉法使金属基片的上下表面附有压电薄膜，并在压电薄膜上溅射或蒸发一层金属材料，得到压电双晶片；将压电双晶片粘贴在硅片的上表面；在硅片的下表面形成一个矩形槽；切割硅片和压电双晶片；制备若干质量块，并将质量块粘贴在压电双晶片的悬空端；对压电双晶片进行极化。本发明专利技术转换效率高，输出功率大，制作简单可靠，在无线传感器网络节点的设计与制作中具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种压电双晶片式ＭＥＭＳ能量采集器，其特征在于，包括：若干压电双晶片悬臂梁，每个压电双晶片悬臂梁包括：硅固定基座、压电双晶片和质量块，其中：压电双晶片的一端固定在硅固定基座上，压电双晶片的另一端悬空，质量块固定在压电双晶片的悬空端；所述的压电双晶片包括：金属基片、两层压电薄膜和两层电极，其中：第一层压电薄膜位于金属基片的上表面，第二层压电薄膜位于金属基片的下表面，第一层电极位于第一层压电薄膜的上表面，第二层电极位于第二层压电薄膜的下表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春生，唐刚，刘景全，李以贵，柳和生，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]