一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及装置制造方法及图纸

一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及装置，通过在控制阀组和Ｇｏｄｚｉｌｌａ系统之间增加两个控制阀，从而使Ｇｏｄｚｉｌｌａ系统由第一研磨盘、第二研磨盘、第三研磨盘共同控制，即Ｇｏｄｚｉｌｌａ系统只有在第一研磨盘、第二研磨盘、第三研磨盘都停止研磨的时候才能启动喷水。本发明专利技术能有效地改善了晶片研磨不足晶片厚度偏厚的问题，提高了产量，节约了人力物力资源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺制程领域，特别是涉及一种改善晶片研磨 不足厚度偏厚的方法及装置。
技术介绍
如申请号为02131650.3的申请文件所述，随着集成电路元件朝 向小而密集的趋势发展， 一种利用多数层的金属内连线层以及低介电 材料来将半导体芯片上的各个半导体元件彼此串连起来，而完成整个 堆叠化的回路架构的多重金属化制程(Multilevel Metallization Process),业已被广泛地应用在VLSI/ULSI制程上，以于硅芯片上 形成更多层次的架构。然而这些金属线及半导体元件会使得集成电路 表面呈现高低起伏的陡峭地势(Severe Topography )，增加后续在进 行沉积或图案转移(Pattern Transfer)制程时的困难。因此芯片表 面凸出的沉积层以及高低起伏的轮廓，都必须利用 一 平坦化制程(Planarization Process)来力口以去除。目前应用最广泛的全面平坦化技术为化学机械研磨法(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP )。化学机械研磨法主 要是利用类似"磨刀"的机械式研磨原理，配合研磨液(Slurr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善晶片研磨不足厚度偏厚的装置，其结构至少包括：第一研磨盘，第二研磨盘，第三研磨盘，第一控制阀，第二控制阀，第三控制阀，第四控制阀，研磨系统内高压水清洁系统，研磨系统内高压水清洁系统控制阀，其特征在于：在控制阀组和研磨系统内高压水清洁系统控制阀之间增加两个控制阀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张连伯，冯庆安，张淑艳，汪志宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]