带有厚层结构的晶片上金属层的图形化方法技术

本发明专利技术属于微型电子机械系统（ＭＥＭＳ）技术领域，特别涉及一种在带有厚层结构的硅晶片上金属层的图形化方法。在本发明专利技术提出的金属层的图形化方法中，利用牺牲层腐蚀制作与硅衬底间隔着绝缘层的悬起隔离槽如多晶硅隔离槽，把溅射或蒸发在带有厚层结构的硅晶片上的金属层分割成互相不连通的多个部分，最后制作出实现电隔离的具有高深宽比结构的微机电系统（ＭＥＭＳ）芯片。本发明专利技术解决了无法在晶片上带有厚层结构时金属层图形化的难题，具有工艺简单，易于制造，和微电子工艺兼容性好，制造成本低廉，适合于在流水线上大批量生产具有高深宽比结构的微电子机械系统等诸多优点，易于推广应用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带有厚层结构的晶片上金属层的图形化方法，其特征在于，包括以下步骤：１）在硅晶片上淀积牺牲层；２）在该牺牲层上淀积、图形化多晶硅和厚胶，形成互相隔开的厚层结构，该厚层结构的厚度在５０ｕｍ～２０００ｕｍ之间；３）部分钻蚀牺牲层， 使后续淀积的金属层在被钻蚀的牺牲层处断开，使淀积在带有厚层结构的硅晶片上的金属层分割成互相不连通的多个部分；４）最后在该分割的金属层上制作出实现电隔离的具有高深宽比结构的图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶雄英，刘素艳，卜敏强，周兆英，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]