【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开的实施例涉及三维(3d)存储器器件及其制造方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储器单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储器单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高昂。结果，用于平面存储器单元的存储器密度接近上限。
3、3d存储器架构可以解决平面存储器单元中的密度上限。3d存储器架构包括存储器阵列和用于控制通往和来自存储器阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
1、本文公开了用于形成3d存储器器件的栅极结构的方法及其制造方法的实施例。
2、公开了一种用于形成三维(3d)nand存储器器件的方法，包括：形成包括核心阵列区域、阶梯区域和外围区域的阵列晶圆，包括：在第一衬底上形成交替电介质堆叠体，在核心阵列区域中的交替电介质堆叠体中形成多个沟道结构，每个沟道结构包括功能层和沟道层，在阶梯区域中形成阶梯结构，并且形成多个虚设沟道结构，以及将cmos晶圆键合到阵列晶圆；以及去除第一衬底；去除每...
【技术保护点】
1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个虚设沟道结构包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个虚设沟道结构包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
8.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
9.根据权利要求8所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于形成三维(3d)存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个虚设沟道结构包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个虚设沟道结构包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
8.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阵列晶圆还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述cmos晶圆键合到所述阵列晶圆包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述支撑堆叠体包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，去除所述支撑堆叠体的部分和所述第一衬底包括：
12.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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