一种存储器及其制造方法。存储器包括第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)。第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)分别包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。第一晶体管(T1)的源极耦合至第二晶体管(T2)的栅极。第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)一起形成基于2T0C架构的存储器中的存储器单元。通过使用氧化物半导体材料形成第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)的沟道，存储器可以与半导体器件的后端工艺兼容。存储器因此可以被堆叠在底层电路上方，例如被堆叠在互连层中，从而提高芯片的集成度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
pct国内申请，权...
【专利技术属性】
技术研发人员：范人士，侯朝昭，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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