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提供了一种用于形成3D存储器器件的方法。该方法包括：形成包括核心阵列区域、阶梯区域和外围区域的阵列晶圆。形成阵列晶圆包括：在第一衬底上形成交替电介质堆叠体，在核心阵列区域中的交替电介质堆叠体中形成多个沟道结构，每个沟道结构包括功能层和沟道层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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