一种制造技术

本申请涉及半导体显示工艺领域，公开一种

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶粒针刺转移工艺


[0001]本申请涉及半导体显示工艺的领域，更具体地说，它涉及一种
LED
晶粒针刺转移工艺
。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的不断发展，
LED
芯片向着薄膜化
、
微小化
、
阵列化的发展，目前高端的
LED
芯片已经迈入了微米时代，芯片尺寸微小化
、
芯片数量规模化对芯片转移的精度和效率提出了严格的要求，精度效率的高低直接影响了芯片的良率
。
[0003]目前常规使用的一种
LED
芯片转移工艺为机械刺晶法，机械刺晶法中一般采用真空吸附针刺转移的方式进行
LED
晶粒转移，转移时，顶针位于设置有待转移
LED
晶粒的蓝膜载体的下方，顶针盖采用真空吸附的方式将放置有
LED
晶粒的蓝膜载体底部进行吸附，顶针沿着顶针盖的顶针孔穿出，并刺穿蓝膜载体将
LED
晶粒向上顶起，使得
LED
晶粒转移至上方的转移载体上，以此完成
LED
晶粒的转移，然而顶针在顶起
LED
晶粒时，刺穿蓝膜载体后与
LED
晶粒接触，容易对
LED
晶粒表面产生损伤，且蓝膜载体一般为柔性材质，在向上刺穿的过程中，容易产生较大的回弹力，使得
LED
晶粒在转移的过程中产生较大的位置偏移，进而降低
LED<br/>晶粒的转移效率
。

技术实现思路

[0004]为了解决常规使用的
LED
晶粒的机械刺晶工艺容易对
LED
晶粒产生损伤，且
LED
晶粒在转移的过程中容易出现偏移，降低了
LED
晶粒的转移效率的问题，本申请提供一种
LED
晶粒针刺转移工艺
。
[0005]第一方面，本申请提供一种
LED
晶粒针刺转移工艺，采用如下的技术方案：一种
LED
晶粒针刺转移工艺，包括以下步骤：
S1、
点测：将设置于第一基材上的
LED
晶粒进行点测；
S2、
分选：将设置于第一基材上的
LED
晶粒按照同一电性
/
光性进行分选，分选后的
LED
晶粒呈矩阵设置于第二基材；
S3、
转移：将设置于第二基材上的
LED
晶粒从上至下进行针刺，转移至转移载体上，转移时，针刺的顶针未刺穿第二基材，转移载体的上表面涂覆有粘性锡膏，且第二基材的粘性小于转移载体的粘性，使得针刺转移的同时转移载体对
LED
晶粒进行初步固晶；
S4、
焊接：将
LED
晶粒焊接固定于转移载体
。
[0006]通过采用上述技术方案，第一基材用于承载
LED
晶粒，对第一基材上的
LED
晶粒进行点测，以扫描和精准确定每个
LED
晶片的具体位置，提升后续
LED
晶粒的分选精准性，后按照
LED
晶粒的电性或者光性进行分选，将具有相同电性或者光性的
LED
芯片进行分选分类，第二基材为具有粘性的承载基材，分选后的相同类别的
LED
晶粒呈矩阵稳定排列于第二基材，后进行
LED
晶粒转移，转移时使用从上往下的针刺转移方式，顶针向下进行针刺，并与第二基材的上表面抵接，针刺的过程中产生向下的推力，使得
LED
晶粒的下表面与转移载体的
上表面抵接，在粘性锡膏的粘接作用下，由于转移载体的粘性大于第二基材的粘性，使得
LED
晶粒稳定地转移至转移载体的上表面，顶针无需刺穿第二基材，只需要对第二基材产生向下的推力，即可实现针刺转移，不会对
LED
晶粒表面造成损伤，
LED
晶粒在转移的同时，转移载体的粘性锡膏对
LED
晶粒进行初步固晶，降低了
LED
晶粒容易出现位置偏移的情况，后将经过初步固晶的
LED
晶粒进行进一步焊接固定，以此完成
LED
晶粒的针刺转移
。
[0007]本申请的
LED
晶粒转移工艺相对于常规的机械刺晶工艺来说，操作简单，无需刺穿第二基材，提升了
LED
晶粒的转移加工效率，
LED
晶粒表面不易产生损伤，降低了
LED
晶粒在转移的过程中容易出现歪斜和偏移的情况，提升了针刺转移的加工精度，进而提升
LED
晶粒的转移效率，适用于小型化和集成化的
LED
晶粒针刺转移工艺中
。
[0008]优选的，所述第二基材为蓝膜，所述蓝膜的粘性小于转移载体的粘性
。
[0009]通过采用上述技术方案，使用蓝膜作为第二基材，蓝膜为电子级蓝膜胶带，具有适中的力学性能和粘接稳定性，能够稳定地承载和粘接
LED
晶粒，同时也具有较好的剥离性，转移后
LED
晶粒表面不易留有残胶，蓝膜的粘性需控制在小于粘性锡膏的粘性范围内，粘性是指对
LED
晶粒的粘接强度，易于
LED
晶粒进行转移
。
[0010]优选的，所述第二基材为
UV
膜，所述
S2
步骤和所述
S3
步骤之间，还包括解胶工艺，所述解胶工艺是将设置有
LED
晶粒的第二基材使用
UV
光源进行照射，解胶后的
UV
膜的粘性小于转移载体的粘性
。
[0011]通过采用上述技术方案，使用
UV
膜作为第二基材，
UV
膜是一种在
PET
或
PTFE
基材表面涂覆
UV
固化胶水而制得的膜材料，
UV
膜在未经过
UV
光源照射前粘性很大，而经过
UV
光源照射后降低粘性或失去粘性，当选用
UV
膜作为第二基材时，
LED
晶粒在转移前需要先进行解胶，以降低
UV
膜的粘性，使得
UV
膜的粘性控制在小于转移载体的粘性的范围内，易于
LED
晶粒进行转移
。
[0012]优选的，所述
S3
步骤中，针刺时，设置于第二基材上的
LED
晶粒与转移载体之间的距离为
0.2
‑
0.8mm。
[0013]通过采用上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
LED
晶粒针刺转移工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
点测：将设置于第一基材上的
LED
晶粒进行点测；
S2、
分选：将设置于第一基材上的
LED
晶粒按照同一电性
/
光性进行分选，分选后的
LED
晶粒呈矩阵设置于第二基材；
S3、
转移：将设置于第二基材上的
LED
晶粒从上至下进行针刺，转移至转移载体上，转移时，针刺的顶针未刺穿第二基材，转移载体的上表面涂覆有粘性锡膏，且第二基材的粘性小于转移载体的粘性，使得针刺转移的同时转移载体对
LED
晶粒进行初步固晶；
S4、
焊接：将
LED
晶粒焊接固定于转移载体
。2.
根据权利要求1所述的一种
LED
晶粒针刺转移工艺，其特征在于，所述第二基材为蓝膜，所述蓝膜的粘性小于转移载体的粘性
。3.
根据权利要求1所述的一种
LED
晶粒针刺转移工艺，其特征在于，所述第二基材为
UV
膜，所述
S2
步骤和所述
S3
步骤之间，还包括解胶工艺，所述解胶工艺是将设置有
LED
晶粒的第二基材使用
UV
光源进行照射，解胶后的
UV
膜的粘性小于转移载体的粘性
。4.
根据权利要求1所述的一种
LED
晶粒针刺转移工艺，其特征在于，所述
S3
步骤中，针刺时，设置于第二基材上的
LED
晶粒与转移载体之间的距离为
0.2
‑
0.8mm。5.
根据权利要求1‑4任一项所述的一种
LED
晶粒针刺转移工艺，其特征在于，所述粘性锡膏由以下重量百分比的原料制得：焊锡粉
89.5
‑
92.5%
助焊剂
7.5
‑
10.5%
；所述焊锡粉由
96.5%
锡
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱国诚，黄驰峰，李益强，李浩然，周剑，
申请(专利权)人：东莞市德镌精密设备有限公司，
类型：发明
国别省市：