芯片修补方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片修补方法

【技术实现步骤摘要】
芯片修补方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种芯片修补方法
。

技术介绍

[0002]在半导体器件的使用过程中，芯片出现异常损坏是不可避免的，异常芯片需要被及时修补或者更换，以保证半导体器件的正常使用
。
[0003]但是，一般在对异常芯片进行修补和更换时，会不可避免的碰触到正常芯片，因芯片尺寸整体尺寸较小，更换规程中极易对正常芯片造成损伤，导致器件损伤更严重
。

技术实现思路

[0004]鉴于上述基于此，有必要针对上述问题提供一种芯片修补方法，以降低修补过程中对正常芯片造成的损伤
。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种芯片修补方法，包括：
[0006]提供背板，所述背板的正面键合有芯片，所述芯片包括正常芯片及异常芯片；
[0007]去除所述异常芯片，以暴露出异常区域；
[0008]于所述背板的正面形成塑封层，所述塑封层将所述正常芯片塑封；所述塑封层内具有开口，所述开口暴露出所述异常区域；
[0009]提供暂态基板，所述暂态基板的表面键合有待转移的正常芯片；
[0010]将所述待转移的正常芯片键合于所述异常区域；
[0011]去除所述暂态基板
。
[0012]在其中一个实施例中，所述于所述背板的正面形成塑封层包括：
[0013]于所述背板的正面形成塑封材料层，所述塑封材料层覆盖所述背板裸露的正面；
[0014]对所述塑封材料层进行图形化处理，以得到所述塑封层
。
[0015]在其中一个实施例中，所述塑封材料层包括光刻胶层
。
[0016]在其中一个实施例中，于所述背板的正面形成塑封材料层包括：采用旋涂工艺于所述背板的正面形成所述塑封材料层
。
[0017]在其中一个实施例中，对所述塑封材料层进行图形化处理，以得到所述塑封层包括：将所述塑封材料层进行曝光显影，以得到所述塑封层
。
[0018]在其中一个实施例中，将所述塑封材料层进行曝光显影之后，还包括：将曝光显影后的塑封材料层进行固化处理
。
[0019]在其中一个实施例中，所述暂态基板的表面形成有键合层，所述待转移的正常芯片经由所述键合层键合于所述暂态基板的表面；所述方法还包括：去除所述暂态基板的同时，还去除所述键合层
。
[0020]在其中一个实施例中，所述背板的正面形成有第一焊盘，所述芯片的正面具有第二焊盘，所述第一焊盘与所述芯片一一对应设置；所述第二焊盘与所述第一焊盘抵接，以使所述芯片均倒装键合于所述背板上
。
[0021]在其中一个实施例中，所述塑封层的厚度小于或等于所述芯片的厚度与所述第一焊盘的厚度之和
。
[0022]在其中一个实施例中，所述去除所述暂态基板之后，还包括：去除所述塑封层
。
[0023]本申请的芯片修补方法，将异常芯片去除，以空出异常区域；形成塑封层后以对正常芯片进行保护，并且，塑封层具有开口可以暴露出异常区域，便可以在异常区域键合正常芯片，可以在保护原有正常芯片的基础上进行异常芯片修补和替换，不会对正常芯片造成损伤，提高了器件修补成功率，提升良率
。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0025]图1为一实施例中提供的芯片修补方法的流程图；
[0026]图2为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S101
获得的截面结构示意图；
[0027]图3为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S102
获得的截面结构示意图；
[0028]图4为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S103
获得的截面结构示意图；
[0029]图5为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S104
获得的截面结构示意图；
[0030]图6为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S105
获得的截面结构示意图；
[0031]图7为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S106
获得的截面结构示意图；
[0032]图8为一实施例中提供的芯片修补方法中的
S103
中于背板的正面形成塑封层的步骤流程图；
[0033]图9为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S1031
获得的截面结构示意图；
[0034]图
10
为一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S1032
获得的截面结构示意图；
[0035]图
11
为一实施例中提供的芯片修补方法中的暂态基板的表面形成有键合层，待转移的正常芯片经由键合层键合于暂态基板的表面获得的截面结构示意图；
[0036]图
12
为一实施例中提供的芯片修补方法中的将待转移的正常芯片键合于异常区域获得的截面结构示意图；
[0037]图
13
为一实施例中提供的芯片修补方法中的第二焊盘与第一焊盘抵接，以使芯片均倒装键合于背板上获得的截面结构示意图；
[0038]图
14
为另一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S102
获得的截面结构示意图；
[0039]图
15
为另一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S103
获得的截面结构示意图；
[0040]图
16
为另一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S104
获得的截面结构示意图；
[0041]图
17
为另一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S105
获得的截面结构示意图；
[0042]图
18
为另一实施例中提供的芯片修补方法中的步骤
S106
获得的截面结构示意图；
[0043]图
19
为一实施例中提供的芯片修补方法中的去除塑封层获得的截面结构示意图
。
[0044]附图标记说明：
[0045]1、
背板；
2、
正常芯片；
3、
异常芯片；
31、
异常区域；
4、
塑封层；
41、
开口；
42、
塑封材料层；
5、
暂态基板；
51、
键合层；
6、
待转移的正常芯片；
7、
第一焊盘；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片修补方法，其特征在于，包括：提供背板，所述背板的正面键合有芯片，所述芯片包括正常芯片及异常芯片；去除所述异常芯片，以暴露出异常区域；于所述背板的正面形成塑封层，所述塑封层将所述正常芯片塑封；所述塑封层内具有开口，所述开口暴露出所述异常区域；提供暂态基板，所述暂态基板的表面键合有待转移的正常芯片；将所述待转移的正常芯片键合于所述异常区域；去除所述暂态基板
。2.
根据权利要求1所述的芯片修补方法，其特征在于，所述于所述背板的正面形成塑封层包括：于所述背板的正面形成塑封材料层，所述塑封材料层覆盖所述背板裸露的正面；对所述塑封材料层进行图形化处理，以得到所述塑封层
。3.
根据权利要求2所述的芯片修补方法，其特征在于，所述塑封材料层包括光刻胶层
。4.
根据权利要求3所述的芯片修补方法，其特征在于，于所述背板的正面形成塑封材料层包括：采用旋涂工艺于所述背板的正面形成所述塑封材料层
。5.
根据权利要求3所述的芯片修补方法，其特征在于，对所述塑封材料层进行图形化处理，以得到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋光平，萧俊龙，林浩翔，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：