基岛露出型及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法技术

本发明专利技术涉及一种基岛露出型及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法，包括基岛（１）和引脚（２），所述基岛（１）有二组，一组为第一基岛（１．１），另一组为第二基岛（１．２），在所述第一基岛（１．１）、第二基岛（１．２）和引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），在所述第一基岛（１．１）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在所述引脚（２）外围的区域、引脚与基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛（１．２）背面以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），且使所述第一基岛（１．１）和引脚（２）背面尺寸小于第一基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构。本发明专利技术的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能力大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。属于半 导体封装

技术介绍
传统的引线框结构，详细如下说明采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图 14所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。而上述的引线框在封装过程中存在了以下的不足点此种的引线框架结构在金属基板正面进行了半蚀刻工艺，因为只在金属基板正面 进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只有包覆住半只脚的高度，所以塑封体与金属 脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易 产生掉脚的问题(如图15所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴 装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越 硬越脆越容易产生裂缝。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种塑封体与金属脚的束缚能力大的露出 及埋入型基岛弓|线框结构及其先刻后镀方法。本专利技术的目的是这样实现的一种露出及埋入型基岛引线框结构，包括基岛和引 脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，在所述第一基岛、第二基岛和引 脚的正面设置有第一金属层，在所述第一基岛和引脚的背面设置有第二金属层，在所述引 脚外围的区域、引脚与基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域、第二基岛背面以 及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料，所述无填料的塑封料将引脚下部外围、 引脚与第一基岛下部、第二基岛背面、第二基岛背面与第一基岛下部、第二基岛背面与引脚 下部以及引脚与引脚下部连接成一体，且使所述第一基岛和引脚背面尺寸小于第一基岛和 引脚正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构。本专利技术露出及埋入型基岛引线框先刻后镀生产方法，所述方法包括以下工艺步 骤步骤一、取金属基板步骤二、贴膜作业利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜。步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显影去除部 分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域。步骤四、金属基板正面半蚀刻对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属基板正面 形成凹陷的半蚀刻区域，同时相对形成基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛，步骤五、金属基板正背面揭膜作业将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除。步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域，填涂上无填料的软性填缝剂，并 同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封料。步骤七、金属基板正背面贴膜作业利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正面及背面 分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜。步骤八、去除部分光刻胶膜在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，以露出第一基岛和引脚的背面以及 第一基岛、第二基岛和引脚的正面。步骤九、镀金属层在步骤八露出的第一基岛和引脚的背面镀上第二金属层，在第一基岛、第二基岛 和引脚的正面镀上第一金属层。步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、引脚与 基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域以及引脚与引脚之间的区域。步骤十一、金属基板背面半蚀刻在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金属同时蚀 刻出所述的第一基岛、第二基岛和引脚的正面，且使所述第一基岛和引脚背面的尺寸小于 第一基岛和引脚的正面尺寸，形成上大下小的结构。步骤十二、金属基板正背面揭膜作业将金属基板正面和背面余下的光刻胶膜揭除。本专利技术的有益效果是1)由于在所述金属脚与金属脚间的区域嵌置有无填料的软性填缝剂，该无填料的 软性填缝剂与在塑封过程中的常规有填料塑封料一起包覆住整个金属脚的高度，所以塑封 体与金属脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。2)由于采用了正面与背面分开蚀刻作业的方法，所以在蚀刻作业中可形成背面基 岛的尺寸稍小而正面基岛尺寸稍大的结构，而同个基岛的上下大小不同尺寸在被无填料的 塑封料所包覆的更紧更不容易产生滑动而掉脚。附图说明图1 12为本专利技术基岛露出型及埋入型基岛引线框先刻后镀生产方法各工序示 意图。图13为本专利技术基岛露出型及埋入型基岛引线框结构示意图。图14为以往形成绝缘脚示意图。图15为以往形成的掉脚图。图中附图标记基岛1、第一基岛1. 1、第二基岛1.2、引脚2、无填料的塑封料3、第一金属层4、第 二金属层5、金属基板6、光刻胶膜7和8、半蚀刻区域9、光刻胶膜10和11。具体实施例方式本专利技术露出及埋入型基岛引线框先刻后镀方法如下步骤一、取金属基板参见图1，取一片厚度合适的金属基板6。金属基板6的材质可以依据芯片的功能 与特性进行变换，例如铜、铝、铁、铜合金或镍铁合金等。步骤二、贴膜作业参见图2，利用贴膜设备在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光 刻胶膜7和8，以保护后续的蚀刻工艺作业。步骤三、金属基板正面去除部分光刻胶膜参见图3，利用曝光显影设备将步骤二完成贴膜作业的金属基板正面进行曝光显 影去除部分光刻胶膜，以露出金属基板上后续需要进行半蚀刻的区域。步骤四、金属基板正面半蚀刻参见图4，对步骤三中金属基板正面去除部分光刻胶膜的区域进行半蚀刻，在金属 基板正面形成凹陷的半蚀刻区域9，同时相对形成基岛1和引脚2，其用意主要是避免在后 续作业中出现溢胶。所述基岛1有二组，一组为第一基岛1. 1，另一组为第二基岛1. 2。步骤五、金属基板正背面揭膜作业参见图5，将金属基板正面余下的光刻胶膜和背面的光刻胶膜揭除。步骤六、金属基板正面半蚀刻区域填涂无填料的软性填缝剂参见图6，在步骤四金属基板正面形成凹陷的半蚀刻区域9，填涂上无填料的软性 填缝剂，并同时进行烘烤，促使无填料的软性填缝剂固化成无填料的塑封料3。步骤七、金属基板正背面贴膜作业参见图7，利用贴膜设备在已完成填涂无填料的软性填缝剂作业的金属基板的正 面及背面分别贴上可进行曝光显影的光刻胶膜10和11，以保护后续的镀金属层工艺作业。步骤八、去除部分光刻胶膜参见图8，在金属基板的正面及背面去除部分光刻胶膜，用意是露出第一基岛和引 脚的背面以及第一基岛、第二基岛和引脚的正面。步骤九、镀金属层参见图9，在步骤八露出的第一基岛和引脚的背面镀上第二金属层5，在第一基 岛、第二基岛和引脚的正面镀上第一金属层4，以利后续焊线时金属线与芯片区和打线内脚 区之间能更加紧密、牢固的接合，同时增加在包封工艺中促使有填料的塑封料间的结合度。 而金属层的成分会因不同的芯片材质可以是采用金镍金、金镍铜镍金、镍钯金、金镍钯金、 镍金、银或锡等。步骤十、去除金属基板背面部分光刻胶膜参见图10，去除金属基板背面部分光刻胶膜，以露出金属基板背面引脚外围的区域、引脚与基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的区域以及引 脚与引脚之间的区域。步骤十一、金属基板背面半蚀刻参见图11，在金属基板的背面对不被光刻胶膜覆盖的区域即步骤四余下部分的金 属同时蚀刻出所述的第一基岛1. 1、第二基岛1. 2和引脚2的正面，且使所述第一基岛1. 1 和引脚2背面的尺寸小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基岛露出型及埋入型基岛引线框结构，包括基岛（１）和引脚（２），其特征在于：所述基岛（１）有二组，一组为第一基岛（１．１），另一组为第二基岛（１．２），在所述第一基岛（１．１）、第二基岛（１．２）和引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），在所述第一基岛（１．１）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在所述引脚（２）外围的区域、引脚（２）与基岛（１）之间的区域、第一基岛（１．１）与第二基岛（１．２）之间的区域、第二基岛（１．２）背面以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚下部外围、引脚（２）与第一基岛（１．１）下部、第二基岛（１．２）背面、第二基岛背面（１．２）与第一基岛（１．１）下部、第二基岛（１．２）背面与引脚（２）下部以及引脚（２）与引脚（２）下部连接成一体，且使所述第一基岛（１．１）和引脚（２）背面尺寸小于第一基岛（１．１）和引脚（２）正面尺寸，形成上大下小的第一基岛和引脚结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]