一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法技术

本发明专利技术涉及一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法：先在基底上阴极恒电位电沉积含Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅ的预制层，再对预制层进行热处理，最终生成铜锌锡硒半导体薄膜。本发明专利技术方法克服了传统ＰＶＤ法或ＣＶＤ法成本高昂、难于大规模生产等不足，具有镀层化学成分可控、形貌优良、成本低廉，以及易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：先在含有铜、锌、锡和硒离子的电沉积溶液中，采用阴极恒电位沉积的方法在基底上沉积含铜、铟、镓和硒的预制层ＣｕＺｎ↓［ａ］Ｓｎ↓［ｂ］Ｓｅ↓［ｃ］，ａ＝０～１，ｂ＝０～１，ｃ＝０～４；其中，电沉积溶液温度为２０～８０℃，沉积时间为５～３００分钟，阴极沉积电位为－３．０～－０．１Ｖｖｓ．ＳＣＥ；然后将预制层置于真空、空气、氩气或氮气中，在２５０～７５０℃温度下热处理０．１～４．５小时，最终生成铜锌锡硒薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，
申请(专利权)人：深圳丹邦投资集团有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]