一种电阻结构的加工方法技术

本发明专利技术公开一种电阻结构的加工方法，包括：在电阻层的第一侧表面形成第一电极层；对第一电极层远离电阻层的表面进行磨平处理；加工第一电极层，使第一电极层的中部隔断并形成第一电极和第二电极

【技术实现步骤摘要】
一种电阻结构的加工方法


[0001]本专利技术涉及电子元件
，特别涉及一种电阻结构的加工方法
。

技术介绍

[0002]目前用于电流感测的电阻元器件的电极的加工方式，一般采用焊接工艺使铜金属与合金电阻形成连接，或采用电镀工艺在电阻合金上形成电极；由于焊接工艺对焊接尺寸有一定要求，当电极尺寸较小时，一般只能采用个电镀电极的方式进行加工，而电镀电极存在均匀性较差的问题，因此会导致电阻产品的良品率较低
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种电阻结构的加工方法，旨在解决现有的电阻产品存在良品率低的问题
。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的电阻结构的加工方法，包括：
[0005]在电阻层的第一侧表面形成第一电极层；
[0006]对所述第一电极层远离所述电阻层的表面进行磨平处理；
[0007]加工第一电极层，使所述第一电极层的中部隔断并形成第一电极和第二电极
。
[0008]可选地，所述加工第一电极层，使所述第一电极层的中部隔断并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电阻结构的加工方法，其特征在于，包括：在电阻层的第一侧表面形成第一电极层；对所述第一电极层远离所述电阻层的表面进行磨平处理；加工第一电极层，使所述第一电极层的中部隔断并形成第一电极和第二电极
。2.
如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述加工第一电极层，使所述第一电极层的中部隔断并形成第一电极和第二电极的步骤，包括以下步骤：采用机械切割工艺或铣削工艺加工所述第一电极层的中部，并使所述第一电极层的两端隔断并形成第一电极和第二电极
。3.
如权利要求2所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述采用机械切割工艺或铣削工艺加工所述第一电极层的中部，并使所述第一电极层的两端隔断并形成第一电极和第二电极的步骤，还包括以下步骤：切割深度或铣削深度大于所述第一电极层的厚度，且小于
1/3
所述电阻层的厚度与所述第一电极层的厚度之和
。4.
如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在电阻层的第一侧表面形成第一电极层的步骤，包括以下步骤：在所述电阻层的第一侧表面通过电镀沉积或物理气相沉积或化学气相沉积的方式制备得到所述第一电极层
。5.
如权利要求1至4中任意一项所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在电阻层的第一侧表形成第一电极层的步骤之后，还包括以下步骤：在所述电阻层的第二侧表面形成第二电极层
。6.
如权利要求5所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述对所述第一电极层远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆达文，
申请(专利权)人：钧崴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：