电阻结构制造技术

本技术涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种电阻结构，该电阻结构包括：基底；设置在基底上的金属层，金属层包括第一金属区和第二金属区，第一金属区位于第二金属区上的非电极区内；处于第一金属区两侧且与第一金属区连接的电极层。在本技术中，通过将金属层设置为第一金属区和第二金属区，第一金属区位于第二金属区上的非电极区内，然后将电极层设置在第一金属区两端并与第一金属区直接连接，从而实现不改变电阻元件厚度的同时降低电阻元件的阻值。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件，尤其涉及一种电阻结构。

技术介绍

1、近年来，信息
的迅猛发展已经引领了电子元件尺寸的持续缩小趋势。这一趋势的推动力在于，随着电子设备的不断演进和功能的不断增强，对更高性能、更紧凑的电子元件的需求不断增加。为了实现更高的集成度、更快的运算速度以及更低的功耗，科学家和工程师们积极探索着各种方法来缩小电子元件的体积。

2、在此背景下，研究人员提出了一种创新的方法，即利用凸型结构来实现电子元件尺寸的进一步缩小。然而，在这一方法的发展过程中，尽管已取得了初步的成功，但在降低电阻值方面仍然存在着进一步改进的空间。

3、上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种电阻结构，旨在解决现有技术中在电阻厚度不变的情况下，如何进一步降低电阻元件阻值的技术问题。

2、为实现上述目的，本技术提出一种电阻结构，所述电阻结构包括：基底；

3、设置在所述基底上的金属层，所述金属层包括第一金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电阻结构，其特征在于，所述电阻结构包括：

2.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电阻结构还包括：第一绝缘层；

3.如权利要求2所述的电阻结构，其特征在于，所述电极层包括：第一挂镀金属层和第二挂镀金属层；

4.如权利要求3所述的电阻结构，其特征在于，所述第二金属区上的电极区包括分别设置在所述第二金属区上表面两端的第一电极区和第二电极区；

5.如权利要求3或4所述的电阻结构，其特征在于，所述第一挂镀金属层和第二挂镀金属层均包括：第一预设厚度的铜层，所述铜层位于所述第一金属区的两侧并与所述第一金属区连接；p>

6.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种电阻结构，其特征在于，所述电阻结构包括：

2.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电阻结构还包括：第一绝缘层；

3.如权利要求2所述的电阻结构，其特征在于，所述电极层包括：第一挂镀金属层和第二挂镀金属层；

4.如权利要求3所述的电阻结构，其特征在于，所述第二金属区上的电极区包括分别设置在所述第二金属区上表面两端的第一电极区和第二电极区；

5.如权利要求3或4所述的电阻结构，其特征在于，所述第一挂镀金属层和第二挂镀金属层均包括：第一预设厚度的铜层，所述铜层位于所述第一金属区的两侧并与所述第一金属区连接；

6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：江显伟，
申请(专利权)人：钧崴电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：