一种电阻元件的加工方法技术

技术编号:39722201 阅读:10 留言:0更新日期:2023-12-17 23:27
本发明专利技术公开一种电阻元件的加工方法,包括以下步骤:在电阻层的一侧表面形成绝缘层;加工绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块;修整绝缘块的两侧表面,使绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面;在两块相邻的绝缘块之间形成电极块

【技术实现步骤摘要】
一种电阻元件的加工方法


[0001]本专利技术涉及电子配件
,特别涉及一种电阻元件的加工方法


技术介绍

[0002]目前的电子设备的发展趋于小型化,因此电子配件也趋于小型化,大部分电阻设备中需要使用电阻元件,为了保证小型电子设备的功能,需要保证电阻元件的阻值测量的准确性;而目前的电阻元件中一般采用电镀沉积或物理沉积形成电极,但这种方式所加工的电极存在结构稳定性较差问题,容易影响电阻阻值的测量的准确性;另一种加工方式是采用厚膜电阻印刷技术在电阻合金上通过覆膜印刷方式完成生产,但由于覆膜厚度和位置精度较低,容易导致电极均匀度较差,进而影响电阻元件的阻值;以上两种加工方式都会导致电阻元件的结构稳定性较差,并对电阻元件的阻值的稳定性造成影响


技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种电阻元件,旨在解决现有电阻元件存在因结构稳定性差问题

[0004]为实现上述目的,本专利技术提出的电阻元件的加工方法,包括:
[0005]在电阻层的一侧表面形成绝缘层;
[0006]加工所述绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块;
[0007]修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面;
[0008]在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块

[0009]可选地,所述在电阻层的一侧表面形成绝缘层的步骤,包括以下步骤:
[0010]所述绝缘层的高度等于或小于所述电极块的预设高度

[0011]可选地,所述加工所述绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块的步骤,包括以下步骤:
[0012]通过对所述绝缘层曝光定义若干间隔设置的绝缘预设区域;
[0013]对所述绝缘层的非曝光区域通过显影去除,形成若干交错设置的电极预设区域和所述绝缘块

[0014]可选地,所述通过对所述绝缘层曝光定义若干间隔设置的绝缘预设区域的步骤,包括以下步骤:
[0015]所述绝缘层采用感光绝缘材料

[0016]可选地,所述修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面的步骤,包括以下步骤:
[0017]通过显影形成的所述绝缘块的两侧表面具有显影侧显部分,设所述绝缘块的截面最窄处为竖直基准面,修整所述显影侧显部分凸出所述竖直基准面的部分

[0018]可选地,所述修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面的步骤,包括以下步骤:
[0019]利用激光切割方式在所述绝缘块的两侧表面进行切削,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面

[0020]可选地,所述修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面的步骤,包括以下步骤:
[0021]修整后的所述绝缘块靠近所述电阻层的一侧宽度,与所述绝缘块远离所述电阻层的一侧宽度的差值小于
5um。
[0022]可选地,所述在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块的步骤,包括以下步骤:
[0023]所述电极块靠近所述电阻层的一侧宽度,与所述电极块远离所述电阻层的一侧宽度的差值小于
5um。
[0024]可选地,所述在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块的步骤,包括以下步骤:
[0025]通过电镀的方式在两块相邻的所述绝缘块之间形成所述电极块

[0026]可选地,所述在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块的步骤,包括以下步骤:
[0027]所述电极块的两侧与两块相邻的所述绝缘块连接;和
/
或,
[0028]若干所述绝缘块等距间隔设置

[0029]本专利技术的技术方案通过先在电阻层的一侧表面形成绝缘层,再加工所述绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块,随后修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面,最后在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块

该电阻元件的加工方法该电阻元件的加工方法通过先形成间隔设置绝缘块,利用绝缘块限制电极块的成型形状,但由于在加工过程中绝缘块的两侧表面可能存在不平整的问题,因此先修整绝缘块的两侧表面,使绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面,以确保最终形成电极块的结构完整性和结构稳定性,进而提高电阻元件的阻值稳定性;通过该方法所生产的电阻元件的电极块的结构均匀性较高,进而使电阻元件的阻值测量的准确性得到提升

附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图

[0031]图1为本专利技术电阻元件的加工方法一实施例的加工步骤示意图

[0032]图2为本专利技术电阻元件的加工方法一实施例的显影加工步骤示意图

[0033]图3为本专利技术电阻元件的加工方法另一实施例的加工步骤示意图

[0034]图4为本专利技术电阻元件的加工方法另一实施例的显影加工步骤示意图

[0035]图5为本专利技术电阻元件的加工方法一实施例的加工步骤图

[0036]附图标号说明:
[0037]标号名称标号名称1电阻层2绝缘层
21
绝缘块
22
显影侧显部分3电极块
ꢀꢀ
[0038]本专利技术目的的实现

功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明

具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚

完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例

基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围

[0040]需要说明,若本专利技术实施例中有涉及方向性指示
(
诸如上










……
)
,则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系

运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变

[0041]另外,若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量

由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电阻元件的加工方法,其特征在于,包括:在电阻层的一侧表面形成绝缘层;加工所述绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块;修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面;在两块相邻的所述绝缘块之间形成电极块
。2.
如权利要求1所述的电阻元件的加工方法,其特征在于,所述在电阻层的一侧表面形成绝缘层的步骤,包括以下步骤:所述绝缘层的高度等于或小于所述电极块的预设高度
。3.
如权利要求2所述的电阻元件的加工方法,其特征在于,所述加工所述绝缘层以形成若干间隔设置的绝缘块的步骤,包括以下步骤:通过对所述绝缘层曝光定义若干间隔设置的绝缘预设区域;对所述绝缘层的非曝光区域通过显影去除,形成若干交错设置的电极预设区域和所述绝缘块
。4.
如权利要求3所述的电阻元件的加工方法,其特征在于,所述通过对所述绝缘层曝光定义若干间隔设置的绝缘预设区域的步骤,包括以下步骤:所述绝缘层采用感光绝缘材料
。5.
如权利要求3所述的电阻元件的加工方法,其特征在于,所述修整所述绝缘块的两侧表面,使所述绝缘块的两侧表面均形成竖直平整表面的步骤,包括以下步骤:通过显影形成的所述绝缘块的两侧表面具有显影侧显部分,设所述绝缘块的截面最窄处为竖直基准面,修整所述显影侧显部分凸出所述竖直基准面的部分
。6.
如权利要求1至5中任意...

【专利技术属性】
技术研发人员:江显伟
申请(专利权)人:钧崴电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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