【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元件，尤其涉及一种电阻结构及其制作方法。
技术介绍
1、目前，电子元件的发展趋势是朝向轻薄化发展。其中一种常见的精密电阻是由电阻合金和电极组成的，电极通常采用铜，并进行镀镍和锡处理以便于后续焊接。基于现有元件设计的基础上，通过保持电极的体积不变，但能够使元件的厚度变薄，并且具备与原始元件相同的特性。这将有助于将电子元件应用于更多轻薄化的设备中。
2、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种电阻结构及其制作方法，旨在解决现有技术中在电阻元件电极的体积不变的情况下，如何降低电阻元件厚度的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种电阻结构，所述电阻结构包括：
3、基底；
4、设置在所述基底上的金属层，所述金属层设有凹槽，所述凹槽设置在所述金属层的电极区内；
5、所述金属层上设有第一绝缘层和电极层，所述第一绝缘层覆盖所述金属层...
【技术保护点】
1.一种电阻结构，其特征在于，所述电阻结构包括：
2.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电极区包括分别设置在所述金属层上表面两端的第一电极区和第二电极区；
3.如权利要求2所述的电阻结构，其特征在于，所述预设数量的所述凹槽以预设间隔均匀分布在所述第一电极区和所述第二电极区。
4.如权利要求3所述的电阻结构，其特征在于，所述凹槽的深度等于或小于所述金属层的厚度。
5.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电阻结构还包括设置在所述基底上的接触层，所述金属层设置在所述接触层上。
6.如权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种电阻结构，其特征在于，所述电阻结构包括：
2.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电极区包括分别设置在所述金属层上表面两端的第一电极区和第二电极区；
3.如权利要求2所述的电阻结构，其特征在于，所述预设数量的所述凹槽以预设间隔均匀分布在所述第一电极区和所述第二电极区。
4.如权利要求3所述的电阻结构，其特征在于，所述凹槽的深度等于或小于所述金属层的厚度。
5.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述电阻结构还包括设置在所述基底上的接触层，所述金属层设置在所述接触层上。
6.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述第一绝缘层上还设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：江显伟，
申请(专利权)人：钧崴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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