一种电阻结构的加工方法技术

本发明专利技术公开一种电阻结构的加工方法，包括以下步骤：在电阻层的上表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成若干电极区域，若干电极区域沿第一绝缘层的长度方向排列设置；在第一绝缘层的上表面形成限高层；在电极区域内形成电极层，电极层的两侧与相邻的第一绝缘层连接，电极层的上表面与限高层接触；去除限高层得到电阻结构成品。本发明专利技术的技术方案通过利用限高层使得电极层的上表面形成平整面，精准控制电阻结构中电极层上表面的形状，避免电极层产生凸状结构，提高电阻结构的生产质量；同时避免出现电极层顶部蔓延至第一绝缘层的的情况，提高了电阻结构的阻值的生产稳定性。高了电阻结构的阻值的生产稳定性。高了电阻结构的阻值的生产稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电阻结构的加工方法


[0001]本专利技术涉及电子元件加工
，特别涉及一种电阻结构的加工方法。

技术介绍

[0002]随着科技发展，对高精准电子设备的生产精准度要求越来越高；现有电阻结构一般包括基板、电阻层、电极和绝缘层，电阻层设置于基板上，电极设于电阻层的两侧，绝缘层覆盖于电阻层上；在加工的过程中，电极容易蔓延至绝缘层部分，进而影响电阻结构的电阻值；并且在电镀电极时，可能会造成电极的上表面形成凸起，严重时会导致电极镀至绝缘层上，进而影响电阻结构的阻值；电极蔓延和电极的形状通过现有技术都难以实现精准控制，导致所生产的电阻结构的阻值稳定性较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种电阻结构的加工方法，旨在解决目前生产的电阻结构的阻值稳定性较差。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的电阻结构的加工方法，包括以下步骤：
[0005]在电阻层的上表面形成第一绝缘层；
[0006]在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；
[0007]在所述第一绝缘层的上表面形成限高层；
[0008]在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触；
[0009]去除所述限高层得到电阻结构成品。
[0010]可选地，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：
[0011]通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；
[0012]在所述第一绝缘层的上表面形成限高层后，再对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域。
[0013]可选地，所述在电阻层的上表面形成第一绝缘层的步骤，包括以下步骤：
[0014]所述第一绝缘层的厚度范围为10um～200um。
[0015]可选地，在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：
[0016]在所述绝缘层的上表面形成若干限高层，所述限高层的数量与所述电极区域的数量相等；所述限高层位于所述电极区域的上方；
[0017]所述第一绝缘层被所述若干电极区域分割形成若干第一绝缘块，所述限高层的两端分别与相邻的第一绝缘块连接。
[0018]可选地，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一
绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：
[0019]通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；
[0020]对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域；
[0021]在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层；
[0022]通过对所述第二绝缘层除所述若干电极区域以外的区域曝光；
[0023]对所述第二绝缘层的曝光区域通过显影去除，剩下部分形成若干第二绝缘柱，所述第二绝缘柱凸出于所述第一绝缘层；
[0024]在所述第二绝缘柱的上部形成所述限高层，所述限高层与所述第一绝缘层连接。
[0025]可选地，所述形成覆盖所述第二绝缘柱的限高层，所述限高层与所述第一绝缘层连接的步骤，包括以下步骤：
[0026]所述第一绝缘层被所述若干电极区域分割形成若干第一绝缘块；所述限高层包覆所述第二绝缘柱的上部，所述限高层的两端与相邻的第一绝缘块的顶部连接。
[0027]可选地，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层的步骤，包括以下步骤：
[0028]在所述第一绝缘块的外表面形成第三绝缘层；
[0029]在所述第三绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层；和/或，
[0030]所述第一绝缘层的厚度范围为10um～100um；
[0031]所述第二绝缘层位于第一绝缘层上表面的部分的厚度范围为10um～100um。
[0032]可选地，所述在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层采用不同绝缘材料的步骤，还包括以下步骤：
[0033]所述第一绝缘层包括防焊油墨层，所述第二绝缘层包括正型光阻层；和/或，
[0034]所述第一绝缘层包括防焊油墨层，所述第二绝缘层包括正型光阻层或负型光阻层。
[0035]可选地，所述在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：
[0036]所述限高层的厚度范围为0.1um～20um；和/或，
[0037]所述限高层包括二氧化硅层。
[0038]可选地，在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触的步骤，还包括以下步骤：
[0039]通过电镀使电极区域内形成电极。
[0040]本专利技术的技术方案通过采用在电阻层的上表面形成第一绝缘层；随后在第一绝缘层中形成若干电极区域，若干电极区域沿第一绝缘层的长度方向排列设置；然后在第一绝缘层的上表面形成限高层；随之在电极区域内形成电极层，电极层的两侧与相邻的第一绝缘层连接，电极层的上表面与限高层接触；最后去除限高层得到电阻结构成品；通过利用限高层使得电极层的上表面形成平整面，精准控制电阻结构中电极层上表面的形状，避免电极层产生凸状结构，提高电阻结构的生产质量；同时避免出现电极层顶部蔓延至第一绝缘层的情况，提高了电阻结构的阻值的生产稳定性。
附图说明
[0041]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0042]图1为本专利技术电阻结构的加工方法的一实施例的加工步骤图。
[0043]图2为本专利技术电阻结构的加工方法的一实施例的加工步骤示意图。
[0044]图3为本专利技术电阻结构的加工方法的另一实施例的加工步骤示意图。
[0045]图4为本专利技术电阻结构的加工方法的又一实施例的加工步骤示意图。
[0046]附图标号说明：
[0047]标号名称标号名称1电阻层2第一绝缘层21第一绝缘块3电极区域4限高层5电极层6第二绝缘层61第二绝缘柱
[0048]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0049]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：在电阻层的上表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层；在所述电极区域内形成电极层，所述电极层的两侧与相邻的所述第一绝缘层连接，所述电极层的上表面与所述限高层接触；去除所述限高层得到电阻结构成品。2.如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层后，再对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域。3.如权利要求2所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在电阻层的上表面形成第一绝缘层的步骤，包括以下步骤：所述第一绝缘层的厚度范围为10um～200um。4.如权利要求2所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：在所述绝缘层的上表面形成若干限高层，所述限高层的数量与所述电极区域的数量相等；所述限高层位于所述电极区域的上方；所述第一绝缘层被所述若干电极区域分割形成若干第一绝缘块，所述限高层的两端分别与相邻的第一绝缘块连接。5.如权利要求1所述的电阻结构的加工方法，其特征在于，所述在第一绝缘层中形成若干电极区域，所述若干电极区域沿所述第一绝缘层的长度方向排列设置；在所述第一绝缘层的上表面形成限高层的步骤，包括以下步骤：通过对所述第一绝缘层曝光定义所述若干电极区域的设置区域；对所述第一绝缘层的未曝光区域通过显影去除，形成所述若干电极区域；在所述第一绝缘层的上方以及所述若干电极区域内形成第二绝缘层；通过对所述第二绝缘层除所述若干电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：江显伟，
申请(专利权)人：钧崴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：